CN113252232B 一种压力传感器及其制备方法 （深圳市美思先端电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113252232B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202110659871.4

(22)申请日2021.06.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113252232A

(43)申请公布日2021.08.13

G01L9/06(2006.01)

(56)对比文件

CN111591952A,2020.08.28CN215217897U,2021.12.17审查员陈学平

(73)专利权人深圳市美思先端电子有限公司

地址518000广东省深圳市光明区凤凰街

道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋

B2-301

(72)发明人武斌许克宇

(74)专利代理机构深圳市精英创新知识产权代理有限公司44740

专利代理师黄文锋

(51)Int.CI.

GO1L9/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图14页

(54)发明名称

一种压力传感器及其制备方法

(57)摘要

CN113252232B本发明提供了一种压力传感器及其制备方法，包括玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜片，玻璃底座的一面设有凹陷空腔，硅应变膜片包括位于正面的绝缘介质层和绝缘介质层覆盖的硅衬底；硅应变膜片的正面朝向空腔处设有十字梁结构的梁膜结构，梁膜结构的各个端部设有一组压敏电阻、一组重掺杂接触区和一对金属引线，压敏电阻和重掺杂接触区串接，两端由金属引线从重掺杂接触区引出，金属引线和重掺杂接触区在硅应变膜片的正面形成欧姆接触，且各压敏电阻之间形成惠斯通电桥；所述梁膜结构包括设于所述十字梁上的多个凹槽结构，以用于调节

CN113252232B

CN113252232B权利要求书1/2页

2

1.一种压力传感器，其特征在于，包括玻璃底座(1)和位于所述玻璃底座(1)上的硅应变膜片(2),该玻璃底座(1)的一面设有凹陷空腔，该硅应变膜片(2)包括位于正面的绝缘介质层和绝缘介质层覆盖的硅衬底；

所述硅应变膜片(2)的正面朝向所述空腔处设有十字梁结构的梁膜结构(3),所述梁膜结构(3)的各个端部设有一组压敏电阻(4)、一组重掺杂接触区(5)和一对金属引线(6),压敏电阻(4)和重掺杂接触区(5)串接，两端由金属引线(6)从重掺杂接触区(5)引出，所述金属引线(6)和所述重掺杂接触区(5)在所述硅应变膜片(2)的正面形成欧姆接触，且各压敏电阻(4)之间形成惠斯通电桥；

还包括设于所述十字梁上的多个凹槽结构(7),以用于调节压力传感器的性能，适应不同的量程；

所述凹槽结构(7)等间距或非等间距设于所述十字梁上；

所述梁膜结构(3)与边缘膜区域连接的所述凹槽结构(7)的形状为直条形或线性渐变形状；

凹槽结构(7)的深度比梁膜结构(3)的十字梁的厚度更低。

2.根据权利要求1所述的一种压力传感器，其特征在于，各组所述压敏电阻(4)包括多个压敏电阻(4)条数。

3.根据权利要求2所述的一种压力传感器，其特征在于，凹槽结构(7)包括矩形槽、梯形槽、三角形槽、菱形槽、圆形槽中的任意一种。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步

骤：

1)在硅衬底正面制作相互连接的压敏电阻(4)和重掺杂接触区(5),得到硅应变膜片(2);

2)在硅应变膜片(2)的正面制作引线孔和金属引线(6);

3)在硅应变膜片(2)的正面通过光刻定义梁膜结构(3)的十字梁结构的形状，再刻蚀制作十字梁结构；

4)在十字梁上层光刻刻蚀制作凹槽结构(7);

5)背腔刻蚀N型100晶面SOI硅片，直至预设厚度停止；

6)将步骤5)得到的带有十字梁结构的硅应变膜片(2)与打孔的玻璃底座(1)进行阳极键合；

7)划片，制成压力传感器。

5.根据权利要求4所述的一种压力传感器的制备方法，其特征在于，步骤1)中通过离子注入的方法制作压敏电阻(4)和重掺杂接触区(5);

步骤2)中采用蒸发或溅射等工艺淀积金属层，刻蚀得到金属引线(6),退火合金化，形成欧姆接触；

步骤3)中采用正面光刻定义十字梁形状，并采用浅层刻蚀的方式获得十字梁结构，厚度为d1;

步骤4)中采用光刻刻蚀的凹槽结构(7),深度为d2;

步骤5)