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降低硅片表面微划伤的抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

胶体二氧化硅磨料

30

30

30

20

40

乙二胺

8

－

4

－

10

三乙烯四胺

－

10

4.5

－

－

四甲基氢氧化铵

－

－

－

5

－

聚乙二醇600

0.04

－

0.02

－

－

脂肪醇聚氧乙烯醚MOA-5

－

0.05

0.02

0.04

0.05

乙二胺四乙酸四铵

5

－

5

5

－

乙二胺四甲叉膦酸

－

5

－

－

3

过硫酸钾

10

10

10

－

－

双氧水

－

－

－

10

1

去离子水

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将磨料、pH值调节剂、表面活性剂、氧化剂、螯合剂和水混合并搅拌均匀，所述搅拌的温度为20~30℃

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：胶体二氧化硅磨料20~40、PH值调节剂5~10、表面活性剂0.04~0.05、氧化剂1~10、螯合剂3~5、水余量。

所述磨料为烧结二氧化硅、胶体二氧化硅或者两者的混合物，磨料粒径为10~100nm(扫描电子显微镜法测试粒径)；较佳的，磨料粒径为20~80nm；更佳的，磨料粒径为30~60nm，优选的，磨料粒径为35nm。磨料粒径太小会降低抛光速率，太大会造成硅片表面划伤。

所述PH值调节剂为有机碱，所述有机碱选自乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、丙二胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵和四乙基氢氧化铵中的一种或多种。这些有机碱中，有些具有螯合金属离子的能力，可以降低抛光后硅片表面的金属离子玷污；有些具有PH值缓冲能力，在抛光过程中能够不断补充氢氧根离子的消耗，增加抛光液的使用寿命，提高生产率，降低成本。

所述表面活性剂为非离子表面活性剂，所述非离子表面活性剂为聚乙二醇、脂肪醇聚氧乙烯醚或两者的混合物。所述聚乙二醇(PEG)为分子量不同的PEG，如PEG200、PEG600、PEG2000或PEG6000。所述脂肪醇聚氧乙烯醚为HLB值(亲水亲油平衡值)不同的脂肪醇聚氧乙烯醚，如HLB值为6~7的MOA-3、HLB值为10~11的MOA-5或者HLB值为17~18的MOA-23。非离子表面活性剂在水溶液中以分子状态存在，稳定性好，不受强电解质存在的影响，也不受酸碱的影响，在硅片抛光中起着非常重要的作用，它不仅影响着抛光液的分散性、颗粒吸附后清洗难易程度以及金属离子沾污等问题，更重要的是表面活性剂可以提高质量传递速率，以提高硅片平整度；并降低表面张力，降低损伤层厚度，减少损伤雾，降低抛光后表面划伤，提高硅片表面质量。

所述氧化剂为双氧水、过硫酸钾或两者的混合物。氧化剂在抛光过程中能够促进硅片表面的氧化，提高抛光速率，同时还能降低硅片抛光后表面粗糙度，提高硅片表面质量。

所述螯合剂为醋酸盐螯合剂、磷酸盐螯合剂或两者的混合物。所述醋酸盐螯合剂为乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二铵或乙二胺四乙酸四铵。所述磷酸盐螯合剂为乙二胺四甲叉膦酸、多氨基多醚基甲叉膦酸或二乙烯三胺五甲叉膦酸。螯合剂具有很强的螯合金属离子的能力，可以降低硅片表面金属离子的玷污；同时还可以提高硅片抛光速率，提高生产率。

所述抛光液的pH值为9~12。

产品应用本品主要应用于硅晶片的抛光。

产品特性本品通过控制抛光液中的组分及配比，并合理的控制抛光液在配置过程中或在其它过程中引入的大颗粒数(抛光液中≥0.56μm的颗粒数)，在保证硅片抛光速率≥1μm/min的情况下，大大降低了硅片表面的微划伤比例，同时还可以改善硅片表面质量，提高抛光速率，弥补了现有技术(表面质量和抛光速率不能同时满足)的不足，特别适合于硅晶片的抛光。

参考文献中国专利公告CN－201010553543.8