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晶圆粗抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

二氧化硅磨料

2~50

PH调节剂

0.2~10

螯合剂

0.1~5

表面活性剂

0.01~5

去离子水

余量

制备方法将各组分混合，搅拌均匀即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅磨料2~50、PH调节剂0.2~10、螯合剂0.1~5、表面活性剂0.01~5、去离子水余量。

所述的PH调节剂为碱性有机胺，如三乙胺和二异丁基胺中至少一种。用来调节抛光液的PH值，使二氧化硅处于良好的悬浮状态，提供稳定的抛光速率。采用的胺不含金属类成分避免对硅片的玷污而影响以后的器件的性能。

所述的鳌合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。可以和前制程带入的大量金属离子结合而除去，从而改善抛光片的质量。

所述的表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂，如OP-10，TX-10等，可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表面状态，同时提高质量传递速率，以降低晶圆的表面粗糙度。

产品应用本品主要应用于光电及IC行业的晶圆抛光。

产品特性

（1）本品所采用的二氧化硅磨料在制备时通过对表面改性，改善其表面的物理和化学性能，粒径范围为40~60nm，并通过纯化，使其Na离子含量范围＜0.07%，避免对晶片的玷污而影响以后的器件的性能。并用PH调节剂调节PH值范围为11.2~12.2，使抛光液处于稳定悬浮状态。

（2）在使用该抛光液时，先把所配制的抛光液和去离子水的配比为SiO2含量约为2.5%，对磨片清洗后的硅片检查合格后，在采用美国3800型化学机械抛光机，RodelIC1400抛光垫的情况下，抛光压力200g/cm2，转速55rpm，抛光流量200ml/min，抛光温度48~5

参考文献中国专利公告CN－200910001033.7