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二氧化硅介质化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

纳米SiO2水溶胶

20~90

去离子水

5~75

胺碱

1~5

FA/OII螯合剂

0.25~2

FA/OII活性剂

0.25~2

制备方法

（1）将磨料碱性纳米SiO2水溶胶在负压下形成涡流吸入负压反应釜；所述磨料重量浓度为4~50%；利用负压自动吸入硅溶胶，可避免在加料过程中引入污染物；

（2）在负压涡流状态下逐渐加入去离子水；

（3）在负压涡流状态下逐渐加入胺碱，胺碱调节pH值为9~13；在负压涡流状态下加入胺碱pH调节剂，以防止局部pH过高而导致边缘滞流层纳米硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用；

（4）在负压涡流状态下逐渐加入FA/OII型螯合剂；

（5）在负压涡流状态下逐渐加入FA/OII型活性剂；

（6）充分搅拌5~15分钟，均匀后进行灌装。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：纳米SiO2水溶胶20~90、去离子水5~75、胺碱1~5、FA/OII螯合剂0.25~2、FA/OII活性剂0.25~2。

所述步骤（1）中反应器及管道形成密闭系统，材质为有机玻璃，管道选用无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂中的一种。

所述磨料为粒径40~100nm、分散度0.0001的SiO2溶胶。

所述胺碱是三乙醇胺、四乙基氢氧化胺、乙二胺、羟乙基乙二胺或多乙烯多胺中的一种以上。

本品方法的主要作用为：抛光液制备反应器采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止滞流层硅溶胶的凝聚而失效；可使SiO2溶胶不会在加入碱性pH调节剂过程中由于局部pH过高而凝聚导致抛光液失效。

产品应用本品主要应用于二氧化硅介质化学机械抛光。

产品特性

（1）选用碱性抛光液，可对设备无腐蚀，硅溶胶在碱性条件下稳定性好，解决了酸性抛光液污染重、易凝胶等诸多弊端；SiO2介质与胺碱易生成可溶性的胺化物，从而易脱离表面。

（2）选用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其粒径适中，40~100nm、浓度高可达到50%，硬度小、对晶片损伤小，分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光，污染小、解决了Al2O3磨料硬度大易划伤、易沉淀的缺点。

（3）选用的反应器原材料为无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂等。

（4）负压搅拌的抛光液制备方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入。

（5）使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，可防止反应釜边缘滞流层硅溶胶因局部pH值不均衡而导致凝聚或溶解。

（6）在负压涡流状态下分别逐渐加FA/OII型螯合剂及FA/OII型活性剂，这样搅拌均匀不会引入污染。

总之，该方法是SiO2介质表面高精密加工过程中化学机械抛光（CMP）抛光液的制备方法，其操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善所生产器件的性能，大大提高成品率。

参考文献中国专利公告CN－201010231555.9