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2026-01-23 发布于河北
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高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光液.doc

高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

研

磨

料

10~30nm纳米的二氧化硅

－

120nm纳米二氧化钛

－

40nm纳米二氧化钛

－

80nm纳米氧化铝

－

氧

化

剂

H2O2

－

过氧化氢脲

－

过氧化氢

－

过硫酸铵

－

螯

合

剂

乙二胺四乙酸铵

－

羟乙基乙二胺四乙酸铵

0.3

－

0.5

柠檬酸铵

－

0.5

－

促进剂

氯化铵

－

1.2

－

0.8

氟化胺

－

0.8

1.1

－

表

面

活

性

剂

聚甲基丙烯酸铵

－

0.2

－

0.1

聚丙烯酸铵

－

0.1

－

十二烷基醇聚氧乙烯基醚

0.2

－

0.3

－

0.1

十二烷基磺酸铵

－

0.5

－

消泡剂

聚二甲基硅烷

50ppm

－

杀菌剂

异构噻唑啉酮

10ppm

－

调

节

剂

氨水，羟胺

－

调PH至9.8

调PH至9.2

－

调PH至10.2

四甲基氢氧化铵

调PH至10.8

－

调PH至9.8

－

去离子水

余量

制备方法将各组分溶于水混合均匀即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：研磨料1~30、氧化剂0.5~15、螯合剂0.1~10、表面活性剂0.01~2、促进剂0.5~5、消泡剂20~200ppm、杀菌剂10~50ppm、PH调节剂调节PH值为8.5~11、去离子水余量。

所述研磨料主要作用是CMP时的机械磨擦，可选自氧化铝、氧化钛、胶体氧化硅及其混合物。所述的研磨料优选氧化钛、胶体二氧化硅及其混合物。用于本品的研磨料平均粒径小于200纳米，最佳平均粒径为10~120纳米。所述的研磨料为金属氧化物的水分散体或金属氧化物的胶体溶液。

所述氧化剂有助于将薄膜材料氧化至相应的氧化物、氢氧化物或离子。所述的氧化剂可选自还原时形成羟基的化合物或价态可降低的高价离子化合物，如过氧化氢、过氧化氢脲、过硫酸按中任意一种或两种。其中优过氧化氢脲、过硫酸铵或其混合物作为氧化剂。

所述鳌合剂的作用是与抛光表面的金属离子及抛光液中少量的金属离子形成鳌合物，有助于减少抛光表面金属离子的污染及增大抛光产物的体积，使得抛光后清洗容易去除。所述的鳌合剂可选自无金属离子的鳌合剂，如乙二胺四乙酸铵、柠檬酸铵、羟乙基乙二胺四乙酸铵中任意一种或其中任意两种混合物。优选柠檬酸铵、羟乙基乙二胺四乙酸铵中的一种或其混合物。

所述表面活性剂的作用主要包括使得抛光液中研磨料分散的高稳定性；CMP过程中优先吸附在材料表面的表面，化学腐蚀作用降低，由于凹处受到摩擦力小，因而凸处比凹处抛光速率大，起到了提高抛光凸凹选择性；表面活性剂还有助于抛光后的表面污染物清洗。用于本品的表面活性剂可以为非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂；可选自无金属离子的烷基醇聚氧乙烯基醚、烷基三甲基溴化铵、聚丙烯酸铵、聚甲基丙烯酸铵的任意一种或两种；优选烷基醇聚氧乙烯基醚、聚丙烯酸铵、聚甲基丙烯酸铵及其混合物。

本品的CMP纳米抛光液中包括至少一种抛光促进剂。考虑BST薄膜材料经过化学反应后的产物去除，通过氧化剂的处理形成了BaO，SrO，TiO2等相应氧化物，在碱性溶液作用下形成相应的氢氧化物，但是这几类氢氧化物均是水中的微溶物，甚至不溶物，容易沉积在抛光表面形成颗粒粘污及影响进一步的材料去除。本品加入一种不含金属离子的卤化物作为促进剂，与上述氢氧化物形成溶于水的卤化物，增强了表面膜的去除作用，加快了抛光速率；抑制了表面颗粒的形成，减少了划伤和粗糙度。用于本品的抛光促进剂选自无金属离子的卤化物，如氟化铵、氯化铵及溴化铵任意一种或两种；优氟化铵、氯化铵及其混合物。

本品CMP纳米抛光液中包括一种消泡剂，抛光液中表面活性剂的加入通常导致泡沫的产生，不利于工艺生产控制，通过加入极少量消泡剂实现低泡或无泡抛光液，便于操作使用。本品所述的消泡剂选自聚硅烷化合物，如聚二甲基硅烷。

本品CMP纳米抛光液中包括一种杀菌剂，抛光液中含有许多有机物，长期存放容易形成霉菌，导致抛光液变质，为此向抛光液中加入少量杀菌剂以达到此目的。本品所述的杀菌剂选自噻唑类啉酮化合物，如异构噻唑啉酮。

所述pH调节剂主要是调节抛光液的pH值，使得抛光液稳定，有助于CMP的进行。用

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