CN113957532B 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法 （硅晶体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113957532B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202110826438.5

(22)申请日2021.07.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113957532A

(43)申请公布日2022.01.21

(30)优先权数据12020.07.21EP

(73)专利权人硅晶体有限公司地址德国纽伦堡

(72)发明人迈克尔·沃格尔欧文·施密特阿恩德-迪特里希·韦伯

拉尔夫-乌韦·巴尔茨多米尼克·巴恩斯巴赫

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291

专利代理师黄志华何月华

(51)Int.CI.

C30B29/36(2006.01)

B24B5/50(2006.01)

B28D5/04(2006.01)

(56)对比文件

JP2017152423A,2017.08.31

审查员邹少瑜

权利要求书3页说明书19页附图10页

(54)发明名称

具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法

(57)摘要

CN1139