化学机械抛光液31.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

10#

11#

12#

研

磨

剂

SiO2(胶体二氧化硅)

13

13

13

13

13

13

13

－

－

20

10

10

CeO2

－

－

－

－

－

－

－

1

－

－

－

－

Al2O3

－

－

－

－

－

－

－

－

0.5

－

－

－

BTA

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.2

0.5

1

0.2

0.2

次亚磷酸

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.8

1

2

0.5

0.5

其他添加剂乙二胺

－

－

0.02

0.04

0.04

－

－

－

－

－

－

－

氧化剂H2O2

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

1

－

－

氧化剂单过硫酸氢钾

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

1.5

－

氧化剂过硫酸钾

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

2

水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分在去离子水中混合均匀，用PH调节剂调到所需的PH值，即为抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：研磨剂1~20、次亚磷酸0.5~2、金属缓蚀剂0.1~1、氧化剂0.1~2、水余量。

所述的研磨剂为选自胶体二氧化硅、气相二氧化硅、氧化铈和/或氧化铝中的一种或多种。

所述的金属缓蚀剂为唑类化合物，所述的金属缓蚀剂较佳的为BTA。

所述的氧化剂为过氧化物，所述的过氧化物选自双氧水、单过硫酸氢钾和过硫酸钾中的一种或多种。

本品中，进一步含有pH调节剂，所述的pH调节剂选自氢氧化钾、氨水和/或季铵碱四甲基氢氧化铵中的一种或多种。所述的抛光液的pH值较佳的为9~11。

本品中，进一步含有具有氮原子的有机胺，所述具有氮原子的有机胺较佳的为乙二胺。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性通过添加次亚磷酸可以显著提高TEOS，BD，Ta的抛光速度，实现了阻挡层CMP过程中，调节抛光选择比的要求。本发明中，Cu的去除速度可以通过升高或降低氧化剂含量的方法升高或降低。本发明中，实现了调节抛光选择比的要求，防止了抛光过程中产生的局部腐蚀和整体腐蚀(erosion)，提高了产品的合格率。

参考文献中国专利公告CN－200910197953.0