化学机械抛光液44.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

10#

二氧化硅（20nm）

20

－

－

－

－

－

－

－

－

－

二氧化硅（25nm）

－

20

－

－

－

－

－

－

－

20

二氧化硅（30nm）

－

－

20

－

－

－

－

－

20

－

二氧化硅（35nm）

－

－

－

20

－

－

－

20

－

－

二氧化硅（40nm）

－

－

－

－

20

－

20

－

－

－

二氧化硅（45nm）

－

－

－

－

－

20

－

－

－

－

有

机

羧

酸

和/或

有

机

膦

酸

类

化

合

物

氨三乙酸

0.5

－

－

－

－

－

－

－

－

－

草酸

－

0.5

－

－

－

－

－

－

－

0.25

酒石酸

－

－

0.5

－

－

－

－

－

－

－

亚氨基二乙酸

－

－

－

0.5

－

－

－

－

－

－

柠檬酸

－

－

－

－

0.5

－

－

－

－

－

羟基亚乙基二膦酸

－

－

－

－

－

0.5

－

－

－

氨基三亚甲基膦酸

－

－

－

－

－

－

0.5

－

－

－

2-羟基膦酰基乙酸

－

－

－

－

－

－

－

0.5

－

－

多氨基多醚基亚甲基膦酸（数均分子量600）

－

－

－

－

－

－

－

－

0.5

－

羟基亚乙基二膦酸

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.25

硝酸钾

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

表面活性剂

Tween20

0.005

－

－

－

－

－

－

－

－

－

椰油基丙基甜菜碱

－

0.03

－

－

－

－

－

－

－

－

十二烷基二甲基氧化胺

－

－

0.03

－

－

－

－

－

－

－

孪生季铵盐阳离子表面活性剂

－

－

－

0.01

－

－

－

－

－

－

十二胺聚氧乙烯（15）醚

－

－

－

－

0.03

－

－

－

－

－

十二烷基二甲基甜菜碱

－

－

―

－

－

0.03

－

－

－

－

单烷基磷酸酯钾盐

－

－

―

－

－

－

0.02

－

－

－

聚乙烯吡咯烷酮

－

－

－

－

－

－

－

0.02

－

－

聚乙二醇400

－

－

－

－

－

－

－

－

0.02

0.05

去离子水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分混合均匀，用KOH调节到所需的PH值，即为抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅溶胶颗粒15~38、有机羧酸和/或有机膦酸类化合物0.2~3、硝酸钾0.2~3、表面活性剂、0.005~0.05、水余量。

所述的二氧化硅胶体颗粒的粒径较佳的为50~100nm。

所述有机羧酸和/或有机膦酸类化合物中，所述的有机羧酸为分子中具有羧基的化合物，较佳的为碳原子数2~6的二元和三元羧酸的一种或多种，更佳的为草酸、酒石酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和柠檬酸中的一种或多种。所述有机膦酸类化合物为羟基亚乙基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸和多氨基多醚基亚甲基膦酸中的一种或多种。

所述表面活性剂较佳的为非离子型和/或两性型表面活性剂，更佳的为月桂酰基丙基氧化胺、十二烷基二甲基氧化胺(OA-12)、椰油酰胺基丙基甜菜碱(CAB-30)、吐温20(Tween20)、十二烷基二甲基甜菜碱(BS-12)、椰油酰胺丙基甜菜碱(CAB-35)和椰油脂肪酸二乙醇酰胺(6501)中的一种或多种。

使用非离子型或两性型表面活性剂时，通过调整表面活性剂的种类，能够得到不同的多晶硅去除速率，从而实现调节多晶硅去除速率的目的。如，十二烷基二甲基甜菜碱对多晶硅的去除速率很大，而椰油酰胺丙基甜菜碱的多晶硅去除速率低，同时使用这两种表面活性剂，得到的多晶硅去除速率介于单独使用时的去除速率之间。

根据工艺实际需要，可向本品的抛光液中添加本领域常规添加的辅助性试剂，如粘度调节剂、醇类或醚类试剂、杀菌剂等。

本品的抛光液的pH值较佳的为9～12，最佳的为9.5～10.5。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性本品的抛光液对氧化物介电质有较高抛光速率。在本品一较佳实施例中，在抛光液中二氧化硅含量较低的情况下，仍能达到较高的去除速率，抛光液的成本较低。大大降低了溶胶型二氧化硅的颗粒粒径，减小对抛光材料的过度研磨，使得抛光效果更细腻。

参考文献中国专利公告CN－200910247663.2