CN113711364B 半导体装置和半导体装置的制造方法 （富士电机株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113711364B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202080026129.3

(22)申请日2020.09.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113711364A

(43)申请公布日2021.11.26

(30)优先权数据

2019-1877872019.10.11JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.09.29

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2020/0340162020.09.08

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/070539JA2021.04.15

(73)专利权人富士电机株式会社地址日本神奈川县川崎市

(72)发明人阿形泰典

(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286

专利代理师周爽金玉兰

(51)Int.CI.

H10D62/60(2025.01)

H10D84/80(2025.01)

H10D84/60(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

(56)对比文件

JP2008091853A,2008.04.17

CN104145326A,2014.11.12

CN104054159A,2014.09.17

US2015311279A1,2015.10.29

审查员吴艳艳

权利要求书3页说明书19页附图11页

(54)发明名称

半导体装置和半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN113711364B提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布具有第一氢浓度峰以及配置于比第一氢浓度峰更靠半导体基板的下表面侧的位置的第二氢浓度峰，第一氢浓度峰和第二氢浓度峰之间的中间施主浓度与第一氢浓度峰和半导体基板的上表面之间的上表面侧施主浓度以及第二氢浓度峰和半导体基板的下表面之间

CN113711364B

浓度Hp2

浓度

Hp2

Sla氢化学浓度

104

Hs2

3-Dp1114施主浓度

-Ds1

Ds2-15

Zc1上表面

下表面Zc2Z2

A-A

从下表面起算的深度位置(μm)

CN113711364B权利要求书1/3页

2

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有上表面和下表面，

所述半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布具有：

第一氢浓度峰；以及

第二氢浓度峰，其配置于比所述第一氢浓度峰更靠所述半导体基板的所述下表面侧的位置，

所述第一氢浓度峰和所述第二氢浓度峰之间的中间施主浓度高于所述第一氢浓度峰和所述半导体基板的所述上表面之间的上表面侧施主浓度和所述第二氢浓度峰和所述半导体基板的所述下表面之间的下表面侧施主浓度，或者所述第一氢浓度峰和所述第二氢浓度峰之间的中间施主浓度低于所述第一氢浓度峰和所述半导体基板的所述上表面之间的上表面侧施主浓度和所述第二氢浓度峰和所述半导体基板的所述下表面之间的下表面侧施主浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述下表面侧施主浓度和所述上表面侧施主浓度这两者比所述半导体基板的体施主浓度高。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的深度方向上的施主浓度分布在所述第一氢浓度峰与所述半导体基板的所述上表面之间以及所述第二氢浓度峰与所述半导体基板的所述下表面之间这双方具有平坦部分。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的深度方向上的施主浓度分布在所述第一氢浓度峰与所述第二氢浓度峰之间具有平坦部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一氢浓度峰与所述第二氢浓度峰的所述深度方向上的距离为所述半导体基板的所述深度方向上的厚度的1/2以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间施主浓度比所述上表面侧施主浓度和所述下表面侧施主浓度都高。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一氢浓度峰和所述第二氢浓度峰之间的中间氢浓度比上表面侧氢浓度和下表面侧氢浓度都高，所述上表面侧氢浓度为所述第一氢浓度峰和所述半导体基板的所