高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液.docVIP

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  • 2026-01-23 发布于河北
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高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液.doc

高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液

原料配比

原料

配比(质量份)

1#

2#

3#

4#

磨料

粒径60nm的SiO2水溶胶颗粒

2

粒径30nm的Al2O3水溶胶颗粒

5

粒径30nm的SiO2水溶胶颗粒

10

粒径130nm的表面覆盖铝SiO2水溶胶颗粒

2

络合剂

乙二胺四乙酸

0.99

二亚乙基三胺五乙酸

0.5

1

三亚乙基四胺六乙酸铵

1

成膜剂

十二烷基硫酸铵盐与苯并三氮唑按(1:1)的混合物

0.01

十二烷基苯磺酸铵与苯并三氮唑衍生物按(1:10)的混合物

0.01

十二烷基苯磺酸铵与苯并三氮唑按(10:1)的混合物

0.05

十二烷基苯磺酸铵与苯并三氮唑按(10:5)的混合物

0.03

分散剂

脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚嵌段聚醚非离子表面活性剂

2

聚乙二醇

2

聚乙烯亚胺

1

聚丙烯酸及其盐

2

氧化剂

过氧化氢

5

5

过硫酸铵

5

5

纯水

余量

余量

余量

余量

制备方法将磨料加入搅拌器中,在搅拌下加入纯水及其它组分并搅拌均匀,用KOH或HNO3调节pH值为1.0~7.0,pH值更优为2.0~5.0,继续搅拌至均匀,静止30min即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为:磨料0.1~20、络合剂0.1~2、成膜剂0.01~2、分散剂0.1~3、氧化剂0.01~10、纯水余量。

所述的磨料为SiO2、Al2O3或表面覆盖铝SiO2水溶胶颗粒中的至少一种。所述磨料的粒径为20~150nm。

所述络合剂为乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、次氮基三乙酸及其铵盐或钠盐中的至少一种。

所述成膜剂为阴离子表面活性剂与苯并三氮唑或苯并三氮唑衍生物组成的混合物,阴离子表面活性剂与苯并三氮唑或苯并三氮唑衍生物的重量比值为0.1~10。所述阴离子表面活性剂为烷基硫酸铵盐、烷基磺酸铵盐或烷基苯磺酸铵盐中的至少一种。

所述分散剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚嵌段聚醚非离子表面活性剂、聚乙烯醇与聚苯乙烯嵌段共聚物、聚丙烯酸及其盐、聚乙二醇、聚乙烯亚胺或季铵盐型阳离子表面活性剂中的至少一种。

所述氧化剂为过氧化氢、过氧化脲、过氧乙酸或过硫酸铵中的至少一种。

产品应用本品主要应用于铜的抛光。

产品特性本品采用阴离子表面活性剂和苯并三氮唑或其衍生物的混合物作为成膜剂,与其他组分合理配伍,既可保证铜化学机械抛光过程中的高去除速率(抛光速率可达到600~800nm),又降低了表面损伤(局部和整体腐蚀、蝶形缺陷及刮伤),提高了产品优良率,有利于实现铜的全局平坦化(表面粗糙度可达到20~40nm)且抛光后清洗简单、方便。

参考文献中国专利公告CN-200910187630.3

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