化学机械抛光液6.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

研

磨

颗

粒

二氧化铈（50nm）

0.1

－

－

－

－

－

聚甲基丙烯酸甲酯（150nm）

－

5

－

－

－

－

二氧化钛（120nm）

－

－

10

－

－

－

掺杂铝的二氧化硅（20nm）

－

－

－

20

－

－

三氧化二铝（30nm）

－

－

－

－

30

－

覆盖铝的二氧化硅（70nm）

－

－

－

－

－

1

聚

合

物

乙烯基吡咯烷酮/醋酸乙烯酯共聚物（分子量1000000）

0.0001

－

－

－

－

－

聚乙烯吡咯烷酮（分子量500000）

－

3

－

－

－

0.001

乙烯基吡咯烷酮/醋酸乙烯酯共聚物（分子量1000）

－

－

1

－

－

－

聚乙烯吡咯烷酮（分子量10000）

－

－

－

0.1

－

－

聚乙烯吡咯烷酮（分子量100000）

－

－

－

－

0.5

－

乙烯基吡咯烷酮/醋酸乙烯酯共聚物（分子量100000）

－

－

－

－

0.01

－

水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分混合均匀，之后采用氢氧化钾和硝酸调节至合适的PH值即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：研磨颗粒0.1~30、聚合物0.0001~3、水余量。

所述研磨颗粒可选自二氧化硅、氧化铝、掺杂铝的二氧化硅、覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛和高分子研磨颗粒中的一种或多种。研磨颗粒的粒径较佳的为20~150nm，更佳的为30~120nm。

所述聚合物较佳的选自聚乙烯吡咯烷酮和/或乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯的共聚物。所述的聚乙烯吡咯烷酮和／或乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酷的共聚物可显著降低多晶硅的去除速率，但不影响二氧化硅的去除速率，从而降低多晶硅与二氧化硅的选择比，减少凹陷，显著提高多晶硅的平坦化效率。其中，所述的聚乙烯吡咯烷酮和/或乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯醋的共聚物的分子量较佳的为1000~1000000，更佳的为1000~500000。

所述抛光液的PH较佳为7~12。

本品的抛光液中，还可以含有本领域其它常规添加剂，如PH调节剂、粘度调节剂和消泡剂等。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性本品抛光液具有较低的多晶硅去除速率，和多晶硅对二氧化硅的去除速率选择比，可减少凹陷，显著提高多晶硅的平坦化效率。

参考文献中国专利公告CN－200710172363.3