CN119764255A 接触结构及其制作方法 （重庆芯联微电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764255A(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411991020.X

(22)申请日2024.12.31

(71)申请人重庆芯联微电子有限公司

地址401331重庆市沙坪坝区高新区西永

街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153

(72)发明人张黎朱克宝彭爱东李业超黄仁德

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

H01LHO1LHO1L

21/768(2006.01)

23/528(2006.01)

23/522(2006.01)

权利要求书1页

说明书7页附图3页

(54)发明名称

提供

提供一晶圆，所述品圆包括位于所述品圆上表层的介电层及至少一贯穿所述介电层

的接触孔，所述接触孔的底面显露出金属电极层：

对所述接触孔内壁所显露的所述介电层的表面进行预处理，并形成预设厚度且覆盖

所述接触孔内壁的氨基层；

形成填充所述接触孔的金属填充层，

(57)摘要

CN119764255A本发明提供一种接触结构及其制作方法，该接触结构的制作方法包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括位于所述晶圆上表层的介电层及至少一贯穿所述介电层的接触孔，所述接触孔的底面显露出金属电极层；对所述接触孔内壁所显露的所述介电层的表面进行预处理，并形成预设厚度且覆盖所述接触孔内壁的氨基层；形成填充所述接触孔的金属填充层。本发明通过形成覆盖接触孔内壁所显露的介电层的氨基层，省去了

CN119764255A

CN119764255A权利要求书1/1页

2

1.一种接触结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆包括位于所述晶圆上表层的介电层及至少一贯穿所述介电层的接触孔，所述接触孔的底面显露出金属电极层；

对所述接触孔内壁所显露的所述介电层的表面进行预处理，并形成预设厚度且覆盖所述接触孔内壁的氨基层；

形成填充所述接触孔的金属填充层。

2.根据权利要求1所述的接触结构的制作方法，其特征在于：对所述接触孔内壁所显露的所述介电层的表面进行预处理的方法包括湿法清洗。

3.根据权利要求1所述的接触结构的制作方法，其特征在于：所述预设厚度的范围为0.9nm～1.2nm。

4.根据权利要求1所述的接触结构的制作方法，其特征在于：形成所述氨基层的方法包括有机硅氧烷溶液浸泡、原子层沉积。

5.根据权利要求4所述的接触结构的制作方法，其特征在于：采用所述有机硅氧烷溶液浸泡的方法制作氨基层的过程中，在预设浓度的所述有机硅氧烷溶液中浸泡第一预设时间之后，还包括以预设温度和第二预设时间烘烤所述晶圆的步骤。

6.根据权利要求5所述的接触结构的制作方法，其特征在于：所述有机硅氧烷溶液包括3-氨基丙基三甲氧基硅烷溶液、3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液。

7.根据权利要求5所述的接触结构的制作方法，其特征在于：采用所述有机硅氧烷溶液浸泡所述晶圆之前，还包括调整所述有机硅氧烷溶液的组分的步骤。

8.根据权利要求5所述的接触结构的制作方法，其特征在于：所述预设浓度的范围为1mmol/L～5mmol/L;所述第一预设时间的范围为0.5h～6h;所述预设温度的范围为100℃~140℃;所述第二预设时间的范围为20min～40min。

9.根据权利要求1所述的接触结构的制作方法，其特征在于：在形成所述氨基层之后及形成所述金属填充层之前，还包括形成覆盖所述氨基层背离所述接触孔内壁的一面的导电阻挡层的步骤，所述导电阻挡层覆盖形成所述氨基层后的所述接触孔底部所显露的所述金属电极层的表面。

10.一种接触结构，其特征在于，所述接触结构是采用如权利要求1～9任意一项所述的接触结构的制作方法制作得到。

CN119764255A说明书1/7页

3

接触结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体集成电路制造领域，涉及一种接触结构及其制作方法。

背景技术

[0002]随着集成电路中器件尺寸不断微缩，RC延迟(RCDelay)成为制约电路工作频率的主要因素。为了减小电路的RC延迟，在器件中引入W和Cu及低介电常数(或者超低