CN118175729A 一种高散热嵌氮化铝pcb基板及其制作方法 （浙江万正电子科技股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118175729A

(43)申请公布日2024.06.11

(21)申请号202410598241.4

(22)申请日2024.05.15

(71)申请人浙江万正电子科技股份有限公司

地址314107浙江省嘉兴市嘉善县干窑镇

亭耀东路69-1号

(72)发明人吉祥书李银兵金贵柴喜

王德瑜

(74)专利代理机构嘉兴启帆专利代理事务所

(普通合伙)33253

专利代理师谭吴龙

(51)Int.Cl.

H05K1/02(2006.01)

H05K3/00(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种高散热嵌氮化铝PCB基板及其制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种高散热嵌氮化铝PCB基板

及其制作方法，基板上设有若干线路，线路上设

有元件安装位；所述元件安装位上设有两个第一

铜导电面，且元件安装位其中一侧开设有凹槽，

凹槽内嵌装有氮化铝，且氮化铝顶部上有一半位

置设有第二铜导电面，且第二铜导电面位于靠近

元件安装位的一侧，第二铜导电面与第一铜导电

面等高。本发明在铝基板上开槽并镶嵌氮化铝，

氮化铝的散热系数可达，嵌入氮化铝

后可有效提高元器件的散热效果；在元件安装位

的侧面开槽嵌入氮化铝，使得氮化铝的面积不受

元件安装位上两个连接点的间距影响，可根据散

A热需求规划各个氮化铝的面积，使得PCB基板的

9

2散热效果更好。

7

5

7

1

8

1

1

N

C

CN118175729A权利要求书1/1页

1.一种高散热嵌氮化铝PCB基板，基板上设有若干线路，线路上设有元件安装位；其特

征在于：所述元件安装位上设有两个第一铜导电面，且元件安装位其中一侧开设有凹槽，凹

槽内嵌装有氮化铝，且氮化铝顶部上有一半位置设有第二铜导电面，且第二铜导电面位于

靠近元件安装位的一侧，第二铜导电面与第一铜导电面等高。

2.如权利要求1所述的一种高散热嵌氮化铝PCB基板，其特征在于：所述氮化铝为块状

结构，氮化铝通过边沿处的树脂固定在凹槽内。

3.一种权利要求1或2所述高散热嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于：包括以下

步骤：

S1、在预设线路上规划出嵌入氮化铝的开槽位置，氮化铝位于线路上各个元件安装位

的其中一侧；

S2、准备铝基板，并对铝基板进行初步处理；

S3、切割若干合适尺寸的块状氮化铝；

S4、根据S1规划的开槽位置，在铝基板上进行开槽；

S5、在氮化铝的边沿处涂树脂胶，再将氮化铝固定在开设的凹槽内；

S6、在嵌有氮化铝的铝基板上进行镀铜、压模、曝光、显影、蚀刻、退膜，在氮化铝和预设

线路上留下铜导电面；

S7、进行后续工序。

4.如权利要求3所述的高散热嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S1

中，线路上规划了各个元件的安装位，并根据线路的布局，在元件安装位的左侧或右侧规划

氮化铝的安装槽位置。

5.如权利要求3所述的高散热嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S3

中，准备氮化铝基板，通过激光将氮化铝基板切割成预设尺寸的块状氮化铝。

6.如权利要求3所述的高散热嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S4

中，开槽步骤如下：

S4.1、测量氮化铝块的厚度、长度和宽度；

S4.2、控深机按照氮化铝的厚度开槽，槽深比氮化铝块的厚度小0.05mm；

S4.3、测量实际槽深，计算剩余开槽深度；