CN118244570A 一种金属图形的制作方法 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118244570A

(43)申请公布日2024.06.25

(21)申请号202410676373.4

(22)申请日2024.05.29

(71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术

研究所

地址200050上海市长宁区长宁路865号

(72)发明人彭炜吴止竞刘晓宇

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

G03F1/20(2012.01)

G03F7/20(2006.01)

G03F1/78(2012.01)

权利要求书1页说明书8页附图4页

(54)发明名称

一种金属图形的制作方法

(57)摘要

本发明提供一种金属图形的制作方法，该金

属图形的制作方法包括以下步骤：利用版图设计

工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的

版图，目标图形包括至少一转角，补偿图形位于

目标图形各个转角外围，将版图导入电子束曝光

系统；提供一衬底，于衬底上表面形成电子束抗

蚀层，再将该衬底置于电子束曝光系统中；以第

一、二预设曝光剂量分别对目标图形与补偿图形

所对应区域进行区域曝光，并对曝光后的电子束

抗蚀层进行显影以形成具有图案的掩膜层；形成

覆盖掩膜层的金属层；去除覆盖掩膜层上表面的

金属层及掩膜层。本发明属于电子束光刻技术领

A域，利用补偿图形区域进行第二预设曝光剂量的

0曝光以对目标图形区域进行曝光剂量补偿，实现

7

5

4了高保真图形转移。

4

2

8

1

1

N

C

CN118244570A权利要求书1/1页

1.一种金属图形的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，所述目标图形包括

至少一转角，所述补偿图形至少位于所述目标图形的各个转角的外围且与所述目标图形邻

接，并将所述版图导入电子束曝光系统；

提供一衬底，于所述衬底上表面形成预设厚度的电子束抗蚀层，再将所述衬底置于所

述电子束曝光系统中；

以第一预设曝光剂量和第二预设曝光剂量分别对所述目标图形与所述补偿图形所对

应的所述电子束抗蚀层区域进行区域曝光，并对曝光后的所述电子束抗蚀层进行显影以形

成具有底面显露出所述衬底的图案的掩膜层，且所述第一预设曝光剂量大于所述第二预设

曝光剂量，所述第二预设曝光剂量的剂量值自与所述目标图形对应区域邻接的边缘沿远离

所述目标图形对应区域的方向呈逐渐递减趋势，所述掩膜层中所述图案的侧壁的顶部区域

呈缓坡状；

基于图案化的所述掩膜层形成覆盖所述掩膜层上表面的金属层及所述图案显露的所

述衬底上表面的所述金属层；

去除覆盖所述掩膜层上表面的所述金属层及所述掩膜层，以得到目标金属图形。

2.根据权利要求1所述的金属图形的制作方法，其特征在于：所述版图设计工具包括L‑

edit、GDSⅡ。

3.根据权利要求1所述的金属图形的制作方法，其特征在于：将所述版图导入所述电子

束曝光系统之前，还包括利用所述版图设计工具将所述版图的文件格式转换成所述电子束

曝光系统所对应的文件格式。

4.根据权利要求1所述的金属图形的制作方法，其特征在于：所述目标图形的占空比范

围为1%20%。

~

5.根据权利要求1所述的金属图形的制作方法，其特征在于：所述补偿图形与所述目标

图形的转角处邻接的边缘相对于所述目标图形的该边缘的尺寸的最小比例随所述目标图

形的尺寸减小而增大。

6.根据权利要求1所述的金属图形的制作方法，其特征在于：所述衬底