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- 2026-01-30 发布于广东
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HFD100N02A
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETs
Description
TheHFD100N02AisthehighestperformancetrenchN-chMOSFETswithextremehighcell
density,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuck
converterapplications.
TheHFD100N02AmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteed
withfullfunctionreliabilityapproved.
Features
SuperLowGateChargeExcellentCdv/dteffectdecline
100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
GreenDeviceAvailable
ProductSummary
BVDSSRDSONID
20V2.7mΩ100A
TO252-3LPinConfiguration
D
D
GS
TO252-3L
-1-6/
HFD100N02A
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETs
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
SymbolParameterConditionsMin.Typ.Max.Unit
BVDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250uA20V
DSSGSD
Referenceto25℃
△BVDSS/△TJBVDSSTemperatureCoefficientV/℃
I1mA
D
V4.5V,I30A
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