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- 2026-01-30 发布于广东
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HFN30H06A
DualN-Ch60VMOSFETs
GeneralFeatures
SplitGateTrenchMOSFETtechnologyHighdensitycelldesignforlowRDS(ON)
Excellentpackageforheatdissipation
Application
DC-DCConvertersSynchronous-rectificationapplications
Powermanagementfunctions
ProductSummary
BVDSSRDSONID
60V10mΩ30A
PDFN3×3-8LPinConfiguration
D1D1D2D2D2D2D1D1
S1G1S2G2G2S2G1S1
PDFN3*3-8L
16
第页共页
HFN30H06A
DualN-Ch60VMOSFETs
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units
OffCharacteristic
VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA60--V
(BR)DSSGSD
IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS60V,VGS0V,--1.0μA
IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±20V--±100nA
OnCharacteristics
VGateThresholdVoltageVV,I250μA1.01.62.5V
GS(th)DSGSD
V10V,I20A-10
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