CN116845095A 一种基于碳纳米管插入层减弱金属-锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法 （中国科学院金属研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116845095A(43)申请公布日2023.10.03

(21)申请号202210295705.5

(22)申请日2022.03.23

(71)申请人中国科学院金属研究所

地址110016辽宁省沈阳市沈河区文化路

72号

(72)发明人刘驰魏玉宁孙东明成会明

(74)专利代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)21234

专利代理师张志伟

(51)Int.CI.

29/47(2006.01)29/40(2006.01)29/16(2006.01)29/78(2006.01)

29/47(2006.01)

29/40(2006.01)

29/16(2006.01)

29/78(2006.01)

HO1LHO1L

权利要求书2页说明书7页附图8页

(54)发明名称

一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法

(57)摘要

CN116845095A本发明涉及新型半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法。该异质结是由顶部金属电极、碳纳米管薄膜插入层、锗衬底组成，锗衬底的顶部依次设置碳纳米管薄膜插入层和顶部金属电极，与碳纳米管薄膜插入层接触的顶部金属电极为铝/钛/金自下而上的叠层复合结构。本发明采用插入导电碳纳米管薄膜层的方法来缓解费米能级钉扎效应，网状的碳纳米管导电层有助于消除肖特基势垒高度，而且不会引入较大电阻，从而使金属与轻掺杂n-Ge之间实现较小的的接触电阻。同时，这一工作为费米能级钉扎的调制和理解提供一种

CN116845095A

CN116845095A权利要求书1/2页

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1.一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结，其特征在于，该异质结是由顶部金属电极、碳纳米管薄膜插入层、锗衬底组成，锗衬底的顶部依次设置碳纳米管薄膜插入层和顶部金属电极，与碳纳米管薄膜插入层接触的顶部金属电极为铝/钛/金自下而上的叠层复合结构。

2.按照权利要求1所述的基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结，其特征在于，与锗衬底接触的插入层为厚度2～40纳米的碳纳米管薄膜，采用的碳纳米管薄膜是浮动催化化学气相沉积(FCCVD)收集到的单壁碳纳米管薄膜，其吸附在滤膜上。

3.按照权利要求1所述的基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结，其特征在于，锗衬底为n型轻掺杂锗片，锗衬底的底部设置底部金属电极，与锗衬底接触的底部金属电极为钛/金自上而下的叠层复合结构。

4.一种权利要求1至3之一所述的基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)使用轻掺杂n型锗衬底，依次通过丙酮和异丙醇进行超声清理去除表面杂质，之后依次通过稀释后的氢氟酸和去离子水洗涤去除表面氧化物；

(2)通过真空电子束蒸发技术，在锗衬底背面形成良好的钛/金底部金属电极接触；

(3)通过浮动催化化学气相沉积方法收集到碳纳米管薄膜，控制不同的收集时间，得到一系列具有不同厚度梯度的碳纳米管薄膜；

(4)通过物理压印方法使吸附有碳纳米管薄膜的滤膜紧密接触锗衬底表面，通过异丙醇润湿辅助碳纳米管薄膜脱落并与锗衬底紧密贴合，完成碳纳米管薄膜的转移；

(5)使用光刻技术制作光刻胶掩膜层，并曝光出所需插入层图案，得到目标锗衬底上与顶部金属电极接触的区域；

(6)通过真空电子束蒸发技术，制备出与锗衬底/碳纳米管薄膜接触的铝/钛/金顶部金属电极；

(7)使用氧离子刻蚀技术，通入氧气清洗掉暴露在顶部金属电极之外的多余碳纳米管薄膜。

5.按照权利要求4所述的基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结的制作方法，其特征在于，步骤(1)中，所用氢氟酸为原浓度氢氟酸与去离子水按照1:8体积比例稀释得到，原氢氟酸的浓度为40wt%,在氢氟酸及去离子水中洗涤时间均为1min。

6.按照权利要求4所述的基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结的制作方法，其特征在于，步骤(2)中，首先使用金刚石刻刀将锗衬底背面划刻产生缺陷，之后使用电子束蒸发仪蒸镀底部金属电极的Ti层厚度范围为5～6nm,再继续蒸镀Au层厚度范围为50～51nm,以形成底部较好的欧姆接触并且最大程度减少测量时的误差电阻；步骤