CN115574485A 辐射冷却元件及其制作方法 （高丽大学校产学协力团）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115574485A(43)申请公布日2023.01.06

(21)申请号202211088610.2

(22)申请日2020.10.14

(30)优先权数据

10-2019-01375382019.10.31KR

10-2019-01517292019.11.22KR

(62)分案原申请数据

202080003155.42020.10.14

(71)申请人高丽大学校产学协力团

地址韩国首尔市城北区安岩路145(邮递：

02841)

(51)Int.CI.

F25B23/00(2006.01)

C23C14/06(2006.01)

C23C14/08(2006.01)

C23C14/14(2006.01)

C23C16/06(2006.01)

C23C16/30(2006.01)

C23C16/34(2006.01)

C23C16/40(2006.01)

(72)发明人李宪郑弼薰孙秀胶蔡东右刘禹廷

(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205

专利代理师贺财俊黄健

权利要求书2页说明书28页附图27页

(54)发明名称

辐射冷却元件及其制作方法

(57)摘要

CN115574485A本发明公开一种辐射冷却元件及其制造方法。根据本发明实施例的辐射冷却元件，其特征在于，包括：反射层，其反射具有紫外线、可见光线和近红外线区域的波长的太阳光；以及辐射冷却层，其形成在反射层上而吸收具有中红外线区域的波长的太阳光并将其作为热量而放射，其中，辐射冷却层可以包括：第一辐射层，其包括凹

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CN115574485A权利要求书1/2页

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1.一种辐射冷却元件，其特征在于，

包括：反射层，其反射具有紫外线、可见光线和近红外线区域的波长的太阳光；以及辐射冷却层，其形成在所述反射层上而吸收具有中红外线区域的波长的太阳光并将其作为热量而放射，其中，辐射冷却层包括：第一辐射层，其包括凹凸图案；第二辐射层，其形成在所述第一辐射层上且具有不同于所述第一辐射层的折射率，

所述辐射冷却层包括：中红外线吸收层，其形成在所述反射层上，吸收所述具有中红外线区域的波长的太阳光并将其作为热量而放射；涂层，其所述第一辐射层和所述第二辐射层形成在所述中红外线吸收层上且与所述具有可见光线区域的波长的太阳光具有相互不同的折射率，其中，所述第一辐射层具有比所述具有可见光线区域的波长的太阳光的所述第二辐射层更大的折射率，

所述涂层反射所述具有可见光线区域的波长的太阳光，并且所述第一辐射层和所述第二辐射层重复形成，所述第一辐射层和第二辐射层之间的折射率差为0.7至2。

2.根据权利要求1所述的辐射冷却元件，其特征在于，

所述辐射冷却层中，所述第一辐射层和所述第二辐射层重复地形成。

3.根据权利要求1所述的辐射冷却元件，其特征在于，

所述反射层包括银，铝和铂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的辐射冷却元件，其特征在于，

所述第一辐射层和所述第二辐射层包括氧化物或氮化物构成的细颗粒及高分子物质中的至少一个，所述细颗粒的直径是10nm至20μm,所述细颗粒包括二氧化硅，氧化锆，氧化铝，二氧化钛和氮化硅中的至少一种，所述高分子物质是PDMS或DPHA。

5.根据权利要求1所述的辐射冷却元件，其特征在于，

所述第一辐射层和所述第二辐射层的厚度分别为10nm至2000nm。

6.根据权利要求1所述的辐射冷却元件，其特征在于，

所述第一辐射层包括ZnS,Si和Ge中的至少一个，并且所述第二辐射层包括CaF?。

7.一种辐射冷却元件的制造方法，其特征在于，

包括：在基板上形成能够反射具有紫外线、可见光线和近红外线区域的波长的太阳光的反射层的步骤；以及在所述反射层上形成辐射冷却层的步骤，所述辐射冷却层能够吸收具有中红外线区域的波长的太阳光并将其作为热量而放射，

其中，所述辐射冷却层的形成步骤包括：包括凹凸图案的第一辐射层形成在所述反射层上的步骤；在所述第一辐射层上形成具有不同于所述第一辐射层的折射率的第二辐射层的步骤；以及在所述反射层上形成用于吸收所述具有中红外区域的波长的太阳光并将其作为热量而放射的中红外光吸收层的步骤；

其中，在所述中红外光吸收层上，形成用于反射所述具