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- 约 26页
- 2026-01-31 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117182085A(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311336960.0
(22)申请日2023.10.16
(71)申请人中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)
地址550000贵州省贵阳市乌当区新添大
道北段232号
B22FB22FH01GC23G
1/068(2022.01)1/14(2022.01)9/042(2006.01)1/10(2006.01)
(72)发明人赵莺施文峰吴沛轩周小朝
王坤
(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理
有限公司11463专利代理师钟扬飞
(51)Int.CI.
B22F9/04(2006.01)
B22F1/145(2022.01)
B22F1/142(2022.01)
权利要求书2页说明书10页附图2页
(54)发明名称
一种片状钽粉制作方法、电容器及电子设备
(57)摘要
本申请涉及一种片状钽粉制作方法、电容器及电子设备,涉及钽粉制作技术领域。该片状钽粉制作方法,包括:选用纯度大于第一阈值、且最大粒径不大于第二阈值的粒状钽粉作为原料钽粉,所述粒状钽粉的杂质含量满足:Fe≤25ppm、Nb≤10ppm、Cr≤10ppm、W≤5ppm、Na≤1ppm、K≤lppm;对所述原料钽粉进行预处理,得到目标片状钽粉。本申请通过选用上述的高纯度粒状钽粉作为原料钽粉来制作片状钽粉,有效改善了片状钽粉的漏电流特性,提高片状钽粉的质量及电性
CN
CN117182085A
选用纯度大于第一阈值、且粒径不大于第二阈值的粒状钽粉作为原料钽粉
对原料钽粉进行预处理,得到目标片状钽粉
S100
S200
CN117182085A权利要求书1/2页
2
1.一种片状钽粉制作方法,其特征在于,包括:
选用纯度大于第一阈值、且粒径不大于第二阈值的粒状钽粉作为原料钽粉,其中,所述粒状钽粉的杂质含量满足:Fe≤25ppm,Nb≤10ppm、Cr≤10ppm、W≤5ppm、Na≤1ppm、K≤
lppm;
对所述原料钽粉进行预处理,得到目标片状钽粉。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,对所述原料钽粉进行预处理,得到目标片状钽粉,包括:
对所述原料钽粉依次进行球磨处理、第一酸洗处理、掺杂处理、第一次热处理、团化处理、第二次热处理、降氧处理、第二酸洗处理以及第三次热处理,得到目标片状钽粉。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述球磨处理包括:
利用球磨剂与球磨介质对所述原料钽粉进行球磨,得到片状钽粉,其中,按照质量比为指定比例的要求配备所述原料钽粉、所述球磨剂以及所述球磨介质;
将所述片状钽粉与所述球磨剂混合,得到第一混合液;
对所述第一混合液依次进行分离处理、烘干处理,得到烘干后的片状钽粉。
4.根据权利要求2所述的制作制作方法,其特征在于,所述第一酸洗处理,包括:
利用第一酸洗溶液对球磨处理后的片状钽粉进行多次酸洗,经分离处理,得到第一下层混合液;
利用第二酸洗溶液对所述第一下层混合液进行多次常温漂洗,经分离处理,得到第二下层混合液,其中,所述第二酸洗溶液的酸性小于所述第一酸洗溶液的酸性;
采用去离子水洗至所述第二下层混合液的电导率低于指定第一电导率,并进行烘干处
理。
5.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述掺杂处理,包括:
将所述第一酸洗处理后的片状钽粉与酸性溶液混合,得到第二混合液;
对所述第二混合液依次进行烘干处理及第一过筛处理。
6.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述第一次热处理、第二次热处理、第三次热处理均包括:
对经过指定处理后的片状钽粉进行抽真空加热处理,直至所述经过指定处理后的片状钽粉的温度为第一温度,进行恒温冷却处理,其中,对于所述第一次热处理,所述指定处理为所述掺杂处理,对于所述第二次热处理,所述指定处理为所述团化处理,对于所述第三次热处理,所述指定处理为所述第二酸洗处理,所述第一次热处理的第一温度为1350~1400℃中的任一温度,所述第二次热处理和所述第三次热处理的第一温度为1450~1600℃中的任一温度;
在第一温度冷却至第二温度时,加入惰性气体,待所述第二温度冷却至第三温度时,对温度为第三温度的片状钽粉进行第二过筛处理。
7.根据权利要求2所
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