CN117438171A 一种高可靠性内加固复合铜箔高能高场线圈及制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117438171A(43)申请公布日2024.01.23

(21)申请号202311604734.6

(22)申请日2023.11.27

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人肖后秀谢谅谦李亮韩小涛彭涛陈贤飞黄煜唐润丰

(74)专利代理机构武汉华之喻知识产权代理有限公司42267

专利代理师廖盈春

(51)Int.CI.

HO1F5/00(2006.01)

H01F41/06(2016.01)

HO1F41/098(2016.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种高可靠性内加固复合铜箔高能高场线圈及制作方法

(57)摘要

CN117438171A本发明公开了一种高可靠性的复合铜箔高能高场线圈及制作方法，线圈包括：设置在内层的铜箔以及设置在外层的预浸料；铜箔用于承载电流从而产生磁场；预浸料用于加固与其相邻的内层铜箔，进而分担大部分电磁应力。本发明采用铜箔进行脉冲磁体的绕制不存在因磁体两端向中部的挤压导致同层导体绕组匝间的摩擦问题，并且由于铜箔式磁体不需要在磁体两端进行换层操作，避免了换层导致的摩擦和剪切问题，结构更紧凑，受力更均匀。采用预浸料与铜箔组成的复合结构由内向外进行脉冲磁体的缠绕制作时，每个相邻的铜箔层之间自然形成一层紧密粘接的高强度纤维加固层，同时由于铜箔的厚度

CN117438171A

3

5

4

CN117438171A权利要求书1/1页

2

1.一种高可靠性的复合铜箔高能高场线圈，其特征在于，包括：设置在内层的铜箔以及设置在外层的预浸料；

所述铜箔用于承载电流从而产生磁场；

所述预浸料用于加固与其相邻的内层铜箔，进而分担大部分电磁应力。

2.如权利要求1所述的复合铜箔高能高场线圈，其特征在于，所述预浸料的宽度比所述铜箔的宽度略宽。

3.如权利要求2所述的复合铜箔高能高场线圈，其特征在于，所述预浸料的宽度比所述铜箔的宽度多5mm～6mm。

4.如权利要求1-3任一项所述的复合铜箔高能高场线圈，其特征在于，所述预浸料采用交叉铺层方式使得各个方向的铺层均匀分布在整个铺层厚度中。

5.如权利要求4所述的复合铜箔高能高场线圈，其特征在于，所述预浸料采用(0°/45°/-45°/90°)四个方向的交叉铺层获得。

6.一种高可靠性的复合铜箔高能高场线圈的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

S1:通过点焊的方式将作为脉冲磁体的一个电极且起着固定磁体作用的铜片与铜箔连

接；

S2:将所述电极固定在磁体骨架上，并将铜箔与预浸料按照预设的规则缠绕于尼龙管上形成复合铜箔高能高场线圈。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，绕制时，所述铜箔设置在内层，所述预浸料设置在外层；且所述预浸料的宽度比所述铜箔的宽度略宽。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述预浸料的宽度比所述铜箔的宽度多5mm～6mm。

9.如权利要求6-8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述铜片的厚度与所述铜箔的厚度相当。

10.如权利要求6-8任一项所述的制作方法，其特征在于，采用纤维层压板对两端多余的预浸料部分进行压实，一方面可以保证层间绝缘，另一方面能够在脉冲磁体放电时分担磁体两端的电磁应力。

CN117438171A说明书1/4页

3

一种高可靠性内加固复合铜箔高能高场线圈及制作方法

技术领域

[0001]本发明属于脉冲强磁场装置技术领域，更具体地，涉及一种高可靠性的复合铜箔高能高场线圈及制作方法。

背景技术

[0002]强磁场作为现代基础科学研究中最重要的极端条件之一，在物理、生物、医学等学科领域得到了广泛的应用和推广，目前研究表明强磁场技术在电运输、磁光特性、比热测量等各种科学研究中发挥着重要的作用。随着强磁场技术的高速发展，越来越多的科学研究需要更高的磁场强度。强磁场根据磁场持续时间不同可分为稳态强磁场和脉冲强磁场，稳态磁体面临着严重的发热问题以及超导材料在强磁场环境下的失超问题，为了获得更高的磁场强度，脉冲强磁场技术成为众多科学实验的首选。

[0003