CN117423668A 一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法 （重庆平伟实业股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117423668A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202311391331.8

(22)申请日2023.10.24

(71)申请人重庆平伟实业股份有限公司

地址405200重庆市梁平区梁平工业园区

(72)发明人成亮陈云乔敖华阳张航

顾璐

(74)专利代理机构重庆渝之知识产权代理有限

公司50249专利代理师郑小龙

(51)Int.CI.

HO1L23/367(2006.01)

H01L25/07(2006.01)

HO1L21/50(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法

(57)摘要

CN117423668A本申请提供一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法，所述双面散热结构包括：金属框架；金属引脚，设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；驱动芯片，设置于所述金属框架上；两个晶体管，其分别设置于所述金属框架上，并与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；散热片，跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的

CN117423668A

03060405

03

06

CN117423668A权利要求书1/1页

2

1.一种DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构包括：

金属框架；

金属引脚，设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；

驱动芯片，设置于所述金属框架上；

两个晶体管，其分别设置于所述金属框架上，并与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；

散热片，跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧。

2.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构还包括封装体，所述封装体包裹所述金属框架、所述驱动芯片、所述晶体管以及所述散热片，并露出所述金属框架的底部焊盘位以及所述散热片远离所述金属框架的一侧平面。

3.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述两个晶体管与所述散热片互联形成半桥结构。

4.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构还包括散热层，所述散热层设置于所述散热片背离所述金属框架的一侧。

5.根据权利要求4所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述散热层包括金属氧化层或导热涂层。

6.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述散热片的材料包括：铜、铝、或镁。

7.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述散热片背离所述金属框架的一侧平面对接外置散热器。

8.一种DrMOS的双面散热结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供金属框架；

将金属引脚设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；

在所述金属框架上设置驱动芯片；

在所述金属框架上设置两个晶体管，所述两个晶体管分别与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；

设置一散热片跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧。

9.根据权利要求8所述的DrMOS的双面散热结构的制作方法，其特征在于，设置一散热片跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧之后，还包括：

通过注塑形成封装体，所述封装体包裹所述金属框架、所述驱动芯片、所述晶体管以及所述散热片，并露出所述金属框架的底部焊盘位；

打磨所述封装体背离所述金属框架的一侧以露出所述散热片的一侧平面。

10.根据权利要求9所述的DrMOS的双面散热结构的制作方法，其特征在于，打磨所述封装体背离所述金属框架的一侧以露出所述散热片的一侧平面之后，还包括：对所述散热片露出所述封装体的平面进行表面处理，形成散热层。

CN117423668A说明书1/5页

3

一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及集成电路应用领域，尤其涉及一种DrMOS的双面散热结构及其制作方

法。

背景技术

[0002]DrMOS(DriverandMOSFET)是一种集成电路封装技术，常用于DC-DC电源转换器和高功率电路中，DrMOS得到了广泛的应用。

[0003]