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- 2026-01-31 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117452678A(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311375654.8
(22)申请日2023.10.20
(66)本国优先权数据
202311351751.32023.10.17CN
(71)申请人华中科技大学
地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路
1037号
GO2B
GO2B
GO2B
GO2B
GO2B
GO2B
6/124(2006.01)
6/26(2006.01)
6/12(2006.01)
6/132(2006.01)
6/136(2006.01)
5/00(2006.01)
(72)发明人张新亮赵济昊张驰
王逸伦陈燎
(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理
有限公司44414专利代理师曾国
(51)Int.CI.
GO2F1/035(2006.01)
GO2B6/122(2006.01)
权利要求书2页说明书9页附图4页
(54)发明名称
一种表面等离子体铌酸锂调制装置及其制作工艺方法
(57)摘要
CN117452678A本发明公开了一种表面等离子体铌酸锂调制装置及其制作工艺方法,其中,铌酸锂调制装置的调制区域为水平方向上依次排布的金属件到铌酸锂材料脊波导到金属件的结构顺序,脊波导为窄波导结构,两侧的金属件在同一水平面上与脊波导铌酸锂材料侧壁紧密接触,铌酸锂调制装置利用调制区域两侧金属件与铌酸锂材料界面上分别产生的表面等离极化激元实现对光场和射频场的超强局域,能够提高调制效率,有效
CN117452678A
CN117452678A权利要求书1/2页
2
1.一种表面等离子体铌酸锂调制装置,其特征在于,包括铌酸锂材料层和二氧化硅层;
所述铌酸锂材料层的表面设置有信号输入区域、调制区域和信号输出区域,所述调制区域位于所述信号输入区域与所述信号输出区域之间;
其中,所述调制区域包括在所述铌酸锂材料层的表面并排设置的三个金属件,包括居中的中间金属件,以及分别位于所述中间金属件两边的第一金属件和第二金属件;
所述调制区域还包括被刻蚀于所述铌酸锂材料层表面的第一脊波导和第二脊波导;
所述第一金属件和所述中间金属件被所述第一脊波导隔开,所述第一脊波导的两侧分别与所述第一金属件和所述中间金属件的侧壁抵接,以形成第一调制臂;
所述第二金属件和所述中间金属件被所述第二脊波导隔开,所述第二脊波导的两侧分别与所述第二金属件和所述中间金属件的侧壁抵接,以形成第二调制臂;
所述信号输入区域用于接收光纤传输的原始光信号;
所述信号输入区域,还用于将所述原始光信号分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂,以对所述原始光信号进行相位调制,得到第一信号;
所述信号输出区域,用于使得所述第一信号产生干涉,以对所述原始光信号进行强度调制,得到第二信号,并对所述第二信号进行耦合处理后得到目标光信号。
2.如权利要求1所述的铌酸锂调制装置,其特征在于,所述信号输入区域包括被刻蚀于所述铌酸锂材料层的表面的第一光栅及第一多模干涉器;所述信号输出区域包括被刻蚀于所述铌酸锂材料层的表面的第二多模干涉器及第二光栅;
所述第一光栅和第二光栅分别被刻蚀于所述铌酸锂材料层表面的两侧;
第一多模干涉器和所述第二多模干涉器相对设置;且所述调制区域位于所述第一多模干涉器与述第二多模干涉器之间;
所述第一光栅,用于接收所述原始光信号,所述第二光栅用于对所述目标光信号进行
输出;
第一多模干涉器,用于将经耦合后的原始光信号进行分光束,以分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂,使得所述调制区域采用电极加射频信号对所述原始光信号进行相位调制,得到第一信号;
第二多模干涉器,用于通过合束使所述第一信号发生干涉以实现强度调制,得到第二信号;将所述第二信号传导至所述第二光栅,使得所述第二光栅对所述第二信号进行耦合处理,得到目标光信号。
3.如权利要求2所述的铌酸锂调制装置,其特征在于,所述调制区域还包括被刻蚀于所述铌酸锂材料层表面的第一锥形耦合器和第二锥形耦合器;
所述第一脊波导和所述第二脊波导分别通过第一锥形耦合器与所述第一多模干涉器连接;所述第一脊波导和所述第二脊波导对应的第一锥形耦合器用于接收所述第一多模干涉器对原始光信号的分束,以使得刻蚀于铌酸锂材料层表面的波导的光场模式转化为所述调
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