CN114613833A 超结器件及制作方法 （上海功成半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114613833A(43)申请公布日2022.06.10

(21)申请号202011443290.9

(22)申请日2020.12.08

(71)申请人上海功成半导体科技有限公司

地址201822上海市嘉定区菊园新区环城

路2222号1幢J2620室

(72)发明人徐大朋薛忠营罗杰馨柴展

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师罗泳文

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

超结器件及制作方法

(57)摘要

CN114613833A本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1)提供第一衬底并形成氧化层；2)将第一衬底与第二衬底键合，减薄第二衬底；3)基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在第二衬底刻蚀出贯通至氧化层呈倒梯形的沟槽；4)将第二衬底与第三衬底键合；5)去除第一衬底，并通过腐蚀去除氧化层，以显露沟槽的底部；6)对沟槽的底部进行刻蚀，以增大沟槽的底部宽度，使沟槽的形貌概呈矩形。本发明通过自宽度较小的沟槽底部进行刻蚀，以增大该沟槽底部的尺寸，从而使得该沟槽呈矩形，从而缩小超结结构中的P型柱和N型柱

CN114613833A

电阻。

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CN114613833A权利要求书1/2页

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1.一种超结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

1)提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一主面及第二主面，于所述第一主面形成氧化层；

2)提供第二衬底，所述第二衬底包括相对的第一主面及第二主面，将所述第一衬底的第一主面与所述第二衬底的第二主面键合，自所述第二衬底的第一主面减薄所述第二衬底；

3)基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在所述第二衬底的第一主面刻蚀出贯通至所述氧化层的沟槽，所述沟槽呈倒梯形；

4)提供第三衬底，将所述第二衬底的第一主面与所述第三衬底键合；

5)去除所述第一衬底，并通过腐蚀去除所述氧化层，以显露所述倒梯形的沟槽的底部；

6)基于与步骤3)的所述光掩模图形相同的硬掩膜版，通过所述硬掩膜版与所述沟槽对准后，直接对所述沟槽的底部进行刻蚀，以增大所述沟槽的底部宽度，使所述沟槽的形貌概呈矩形。

2.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤3)所述的沟槽的底部宽度为顶部宽度的四分之一至四分之三之间。

3.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：减薄后的所述第二衬底的厚度介于1～50微米之间，所述沟槽的深度介于1～50微米之间，所述沟槽的顶部宽度介于1微米～6微米之间，所述沟槽的间隔介于1微米～10微米之间。

4.根据权利要求3所述的超结器件的制作方法，其特征在于：减薄后的所述第二衬底的厚度介于30～45微米之间，所述沟槽的深度介于30～45微米之间，所述沟槽的顶部宽度介于4微米～5微米之间，所述沟槽的间隔介于5微米～6微米之间。

5.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤3)及步骤6)的刻蚀方法包括反应离子刻蚀RIE与深硅刻蚀ICP中的一种。

6.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述氧化层的厚度介于100纳米～1000纳米之间。

7.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于，还包括步骤：

7)所述第二衬底为第一导电类型掺杂，于所述沟槽中填充第二导电类型掺杂的半导体材料层，以与所述第二衬底共同形成超结结构。

8.根据权利要求7所述的超结器件的制作方法，其特征在于：还包括步骤：

8)在所述超结结构上形成第二导电类型体区；

9)在所述第二导电类型体区中形成第一导电类型源区；

10)在所述第一导电类型源区及所述第二导电类型体区上制作栅极结构；

11)形成绝缘层以及电极引出结构；

其中，所述第二衬底包含第一导电类型漏区。

9.根据权利要求8所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤9)还包括在所述第一导电类型源区中形成第二导电类型接触区的步骤。

10.根据权利要求7～9任意一项所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述