CN114678453A 微型发光二极管及其制作方法 （厦门市三安光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114678453A(43)申请公布日2022.06.28

(21)申请号202210249309.9

(22)申请日2017.09.15

(62)分案原申请数据

201780049112.82017.09.15

(71)申请人厦门市三安光电科技有限公司

地址361009福建省厦门市思明区吕岭路

1721-1725号

(72)发明人李佳恩徐宸科

(51)Int.CI.

HO1L33/38(2010.01)

HO1L33/62(2010.01)

HO1L23/544(2006.01)

HO1L25/075(2006.01)

GO1R31/26(2014.01)

权利要求书1页说明书8页附图11页

(54)发明名称

微型发光二极管及其制作方法

(57)摘要

CN114678453A公开了一种微型发光二极管、显示装置及其制作方法，其至少在一个电极上设置连接区用于金属联线，达到Micro-LED全测目的。微型发光二极管芯片(100)包括：外延叠层(110),依次包含第一类型半导体层(112)、有源层(113)、第二类型半导体层(114),其具有相对的第一表面和第二表面；第一电极(121),形成于外延叠层(110)的第二表面之上，与第一类型半导体层(112)连接；第二电极(122),形成于外延叠层(110)的第二表面之上，与第二类型半导体层(114)连接；第一电极(121)和第二电极(122)表面上分别设有

CN114678453A

110a

131110bd121

131

110b

132

140

(a)

123122

123122

110b

124

(b)

CN114678453A权利要求书1/1页

2

1.微型发光二极管，其特征在于，该微发光二极管包括：

承载基板，具有相对的上表面和下表面；

多个微发光单元，彼此间隔地设置于所述承载基板的上表面之上，所述微发光单元的尺寸为100μm×100μm以内，包含依次层叠的第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，及第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一类型半导体层形成电性连接，所述第二电极与所述第二类型半导体层形成电性连接，其中所述第一、第二电极的总面积不小于所述微发光单元面积的40%;

金属连线，电连接所述多个微发光单元。

2.微型发光二极管，其特征在于，该发光二极管包括：

承载基板，具有相对的上表面和下表面；

多个微发光单元，彼此间隔地设置于所述承载基板的上表面之上，所述微发光单元的尺寸为100μm×100μm以内，其为垂直结构，包含依次层叠的第一电极、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，及第二电极，所述第一电极与所述第一类型半导体层形成电性连接，所述第二电极与所述第二类型半导体层形成电性连接；

金属连线，电连接所述多个微发光单元。

3.根据权利要求1或者2所述的微型发光二极管，其特征在于：还包括一粘结层，其位于所述承载基板与所述微发光二极管之间。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述第一电极和第二电极位于所述微发光单元的同侧。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：该微发光二极管还包括一氮化物或者氧化物材料层，其形成在所述多个微发光单元的电极一侧表面之上。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管，其特征在于：所述一氮化物或者氧化物材料层的厚度为0.1~5μm。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述金属连线串联所述多个微发光单元。

8.根据权利要求1或者2所述的微型发光二极管，其特征在于：所述微发光单元的厚度为20μm以内。

9.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于：该微发光二极管还包括一金属材料层，其形成在所述多个微发光单元的第二电极之远离所述有源层的表面之上。

10.根据权利要求9所述的微型发光二极管，其特征在于：所述金属材料层的厚度为0.1~5μm。

11.根据权利要求10所述的微型发光二极管，其特征在于：所述金属材料层并联所述多个微发光单的第二电极。

12.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于：所述金属