CN114613834A 超结器件及制作方法 （上海功成半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114613834A(43)申请公布日2022.06.10

(21)申请号202011443350.7

(22)申请日2020.12.08

(71)申请人上海功成半导体科技有限公司

地址201822上海市嘉定区菊园新区环城

路2222号1幢J2620室

(72)发明人徐大朋薛忠营罗杰馨柴展

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师罗泳文

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

CN114613834A

CN114613834A

(57)摘要

本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1)在第一衬底及第二衬底的第一主面刻蚀出第一沟槽及第二沟槽，沟槽呈倒梯形；2)将第一衬底与第二衬底键合；3)减薄第一衬底，并保留一支撑层；4)氧化支撑层，腐蚀去除氧化层，以显露沟槽，所述沟槽呈纺锤形结构。本发明通过将分别刻蚀形成有倒梯形沟槽的第一衬底与第二衬底键合，形成纺锤形沟槽结构，并通过减薄显露出该纺锤形沟槽结构，纺锤形沟槽结构可以缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。

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CN114613834A权利要求书1/2页

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1.一种超结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

1)提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底及第二衬底均包括相对的第一主面及第二主面，基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在所述第一衬底的第一主面刻蚀出第一沟槽，所述第一沟槽呈倒梯形；基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在所述第二衬底的第一主面刻蚀出第二沟槽，所述第二沟槽呈倒梯形；

2)将所述第一衬底的第一主面与所述第二衬底的第一主面键合；

3)自所述第一衬底的第二主面减薄所述第一衬底，使所述第一衬底的第二主面与所述第一沟槽之间保留一支撑层；

4)氧化所述支撑层形成氧化层，并通过腐蚀去除所述氧化层，以显露所述第一沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽组成纺锤形沟槽结构。

2.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：还包括步骤5),基于与步骤1)的所述光掩模图形相同的硬掩膜版，通过所述硬掩膜版与显露的所述第一沟槽对准后，直接对所述第一沟槽的底部进行刻蚀，以增大所述第一沟槽的底部宽度，使所述第一沟槽的形貌概呈矩形。

3.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤1)所述的第一沟槽的底部宽度为顶部宽度的四分之一至四分之三之间，所述的第二沟槽的底部宽度为顶部宽度的四分之一至四分之三之间。

4.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述第一沟槽的深度介于1～30微米之间，所述第二沟槽的深度介于1～30微米之间。

5.根据权利要求4所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述第一沟槽的深度介于15～25微米之间，所述第二沟槽的深度介于15～25微米之间。

6.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤1)的刻蚀方法包括反应离子刻蚀RIE与深硅刻蚀ICP中的一种。

7.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤3)中，采用化学机械抛光工艺对所述第一衬底进行减薄，减薄后的所述支撑层的厚度介于0.5微米～2微米之间。

8.根据权利要求1～7任意一项所述的超结器件的制作方法，其特征在于，还包括步骤：所述第一衬底及第二衬底为第一导电类型掺杂，于所述第一沟槽及第二沟槽中填充第

二导电类型掺杂的半导体材料层，以与所述第一衬底及第二衬底共同形成超结结构。

9.根据权利要求8所述的超结器件的制作方法，其特征在于：还包括步骤：

在所述超结结构上形成第二导电类型体区；

在所述第二导电类型体区中形成第一导电类型源区；

在所述第一导电类型源区及所述第二导电类型体区上制作栅极结构；

形成绝缘层以及电极引出结构；

其中，所述第二衬底包含第一导电类型漏区。

10.根据权利要求8任意一项所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

11.一种超结器件，其特征在于，