CN114613678A 一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114613678A(43)申请公布日2022.06.10

(21)申请号202210247344.7

(22)申请日2022.03.14

(71)申请人南京邮电大学

地址210003江苏省南京市鼓楼区新模范

马路66号

(72)发明人普勇付新周双

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

专利代理师卢霞

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

21/336(2006.01)

21/78(2006.01)

29/78(2006.01)

21/02(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图6页

(54)发明名称

一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，该方法利用二维铁电材料和去离子水的共同作用，通过施加门电压的方式，使得二维铁电材料和去离子水共同产生极化，使极化效应增强，共同作用于导电沟道，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于去离子水的加入，使得极化效应大大增强了，器件的电阻率有很大的提

CN

CN114613678A

CN114613678A权利要求书1/1页

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1.一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S1:采用机械剥离法在洁净的衬底上制成二维石墨烯薄片；

步骤S2:采用机械剥离法在洁净的衬底上制成二维In?Se?薄片；

步骤S3:利用聚合物聚乙烯醇PVA薄膜粘取二维石墨烯薄片；将PVA和二维石墨烯薄片一起压在标记位置的衬底上；然后在去离子水中浸泡一段时间，去除PVA的同时仅保留二维石墨烯薄片的同时整个石墨烯薄片上都经过去离子水的浸泡，制成二维石墨烯薄片/衬底复合层；

步骤S4:利用PVA薄膜粘取二维In?Se?薄片，将PVA和二维In?Se?薄片一起压制于步骤S3

处理后的二维石墨烯薄片/衬底复合层上，然后在去离子水中浸泡去除PVA,制成石墨烯和In?Se?异质结；

步骤S5:在步骤S4制成异质结/衬底复合层上制作图案化的金属电极。

2.如权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述聚合物聚乙烯醇PVA薄膜是贴附在涂有聚二甲基硅氧烷PDMS的载玻片上的。

3.如权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅片。

4.如权利要求3所述的一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底由SiO?氧化层和Si层构成。

5.如权利要求3所述的一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述硅片总厚度为500±15μm,其中，Si0?氧化层厚度为285nm。

6.如权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述PVA薄膜为聚合物聚乙烯醇粉末与去离子水在磁力搅拌器上搅拌得到的溶液取少量于载玻片上加热成薄膜。

7.如权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤S4中，所述在去离子水中浸泡去除PVA的步骤具体为：将样品在去离子水中浸泡1.5h左右至PVA完全溶解。

8.权利要求1-7中任意一项权利要求所述的制作方法制作而成的基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管。

CN114613678A说明书1/4页

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一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于电子存储器领域，具体为一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法。

背景技术

[0002]因为铁电材料特有的自发极化性能，并且可以通过改变外加电场来改变极化的方向如图7所示In?Se?两种极化方向，并且它具有良好的非易失特性，铁电场效应晶体管是非易失性存储器领域的具有很大潜力的新型器件。但是由于铁电材料的尺寸效应以及极化大小的约束，调控性能有待提高。

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