CN115377281A 一种基于金刚石基板的半导体制冷器结构及其制作方法 （西安邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115377281A(43)申请公布日2022.11.22

(21)申请号202211124950.6

(22)申请日2022.09.15

(71)申请人西安邮电大学

地址710061陕西省西安市长安南路563号

(72)发明人符娇陆芹刘宗琛

(74)专利代理机构西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙)61245

专利代理师苗凌何莹

(51)Int.CI.

HO1L35/32(2006.01)

HO1L35/30(2006.01)

HO1L35/34(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种基于金刚石基板的半导体制冷器结构及其制作方法

(57)摘要

CN115377281A本发明涉及一种基于金刚石基板的半导体制冷器结构及其制作方法，半导体制冷器结构包括上基板和下基板，上基板和下基板之间设置有多组热电偶，多组热电偶之间通过多个金属电极相互串联，金属电极包括上金属电极与下金属电极，上金属电极设置在热电偶顶端，所述下金属电极设置在热电偶底端，上基板的顶端与