CN115132736A 一种Nor闪存结构及制作方法 （安徽职业技术学院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115132736A(43)申请公布日2022.09.30

(21)申请号202210897660.9

(22)申请日2022.07.28

(71)申请人安徽职业技术学院

地址230011安徽省合肥市瑶海区文忠路

2600号

(72)发明人操龙斌龚光军张侠杨磊肖欢汪飞夏敏

(74)专利代理机构安徽顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙)34120

专利代理师李照

(51)Int.CI.

HO1L27/11521(2017.01)

HO1L27/11519(2017.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种Nor闪存结构及制作方法

(57)摘要

CN115132736A本发明属于闪存技术领域，具体涉及一种Nor闪存结构及制作方法，该Nor闪存结构包括半导体衬底，半导体衬底中形成有分别沿第一方向和第二方向呈行列排布的隔离区以及位于隔离区之间的有源区，有源区包括浮栅区、源极区和漏极区，在第一方向上相邻的两个隔离区之间并列设置有两个浮栅区，源极区沿第一方向延伸并分隔沿第二方向排列的隔离区，漏极区在第一方向上位于并列设置的两个隔离区之间，且在第二