CN114863967A 双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器 （南方科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114863967A(43)申请公布日2022.08.05

(21)申请号202210417396.4

(22)申请日2022.04.20

(71)申请人南方科技大学

地址518055广东省深圳市南山区桃源街

道学苑大道1088号

(72)发明人李毅达周冰程振林龙扬张国飙沈美朱泉舟

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268

专利代理师朱阳波

(51)Int.CI.

G11C11/22(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器

(57)摘要

CN114863967A本发明公开了一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本发明采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单

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CN114863967A权利要求书1/2页

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1.一种双栅晶体管存储单元，其特征在于，包括：

第一栅极；

第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；

沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；

源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；

第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；

第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。

2.根据权利要求1所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，所述第一介电层还包括：绝缘层，所述绝缘层设置在所述铁电层与所述第一栅极之间，或者，所述绝缘层设置在所述铁电层远离所述第一栅极的一侧。

3.根据权利要求2所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，所述第一介电层的厚度为5-100纳米。

4.根据权利要求1所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，还包括：字线、位线与地线；

所述字线与所述第一栅极连接；

所述位线与所述源极连接；

所述地线与所述漏极连接。

5.根据权利要求1所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，还包括读取线，所述读取线与所述第二栅极连接。

6.一种存储器，其特征在于，包括基板，以及权利要求1-5任一项所述的双栅晶体管存储单元，所述双栅晶体管存储单元阵列设置在所述基板上。

7.一种如权利要求1-5任一项所述的双栅晶体管存储单元的数据读写方法，其特征在

于，包括：

在第一栅极施加开启电压，并在所述源极施加电压进行数据写入；

所述铁电层在所述源极施加的电压的作用下发生自发极化，并将写入的数据进行存储；

在第二栅极施加电压，并读取双栅晶体管存储单元的电容-电压曲线；

根据所述电容-电压曲线确定双栅晶体管存储单元的数据状态，根据双栅晶体管存储单元的数据状态进行数据读取。

8.一种如权利要求1-5任一项所述的双栅晶体管存储单元的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制作第一栅极；

在所述第一栅极上制作第一介电层；

在所述第一介电层上制作沟道层；

在所述第一介电层上制作源极与漏极；

在所述沟道层、所述源极与所述漏极上制作第二介电层；

在所述第二介电层上制作第二栅极。

CN114863967A权利要求书2/2页

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9.根据权利要求8所述的双栅晶体管存储单元的制作方法，其特征在于，所述在所述第一栅极上制作第一介电层的步骤包括：

依次沉积绝缘材料与铁电材料；

光刻制作图案；

刻蚀多余绝缘材料与铁电材料。

10.根据权利要求8所述的双栅晶体管存储单元的制作方法，其特征在于，所述在所述沟道层、所述源极与所述漏极上制作第二介电层的步骤包括：

沉积绝缘材料；

光刻制作图案；

刻蚀多余材料。

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