CN115084161A 三维存储器及其制作方法、存储系统、电子器件 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115084161A(43)申请公布日2022.09.20

(21)申请号202210641403.9

(22)申请日2022.06.08

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人朱焜罗佳明任德营李洵

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

专利代理师霍文娟

(51)Int.CI.

HO1L27/11582(2017.01)

HO1L27/1157(2017.01)

权利要求书2页说明书9页附图11页

(54)发明名称

三维存储器及其制作方法、存储系统、电子器件

(57)摘要

CN115084161A本申请提供了一种三维存储器及其制作方法、存储系统、电子器件，该方法包括：提供初始结构，初始结构包括沟道孔结构以及依次叠置的衬底、刻蚀停止结构以及层叠结构，沟道孔结构贯穿层叠结构、刻蚀停止结构至衬底中，沟道孔结构包括沟道孔、位于沟道孔内的外延层、预备多层膜结构以及沟道层，外延层的材料包括多晶硅，刻蚀停止结构的材料不包括多晶硅；依次去除衬底、外延层、刻蚀停止结构以及部分的预备多层膜结构，至少使得部分的沟道层裸露，剩余的预备多层膜结构形成多层膜结构；在裸露的沟道层的表面上、裸露的层叠结构的表面上以及多层膜结构的表面上形成源极层。本申请解决现有

CN115084161A

提供初始结构，所述初始结构包括沟道孔结构以及依次叠置的衬

底、刻蚀停止结构以及层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的

绝缘介质层以及栅极层，所述沟道孔结构贯穿所述层叠结构、所

述刻蚀停止结构至所述衬底中，所述沟道孔结构包括沟道孔、位

于所述沟道孔内的外延层、预备多层膜结构以及沟道层，所述外

延层位于所述沟道孔的靠近所述衬底的端部，且所述外延层与所

述衬底以及所述刻蚀停止结构分别接触，所述预备多层膜结构位

于所述沟道孔的侧壁上以及所述外延层的靠近所述刻蚀停止结构

的表面上，所述沟道层位于所述预备多层膜结构的远离所述沟道

孔的侧壁的表面上，其中，所述外延层的材料包括多晶硅，所述

刻蚀停止结构的材料不包括多晶硅；

依次去除所述衬底、所述外延层、所述刻蚀停止结构以及部分的

所述预备多层膜结构，至少使得部分的所述沟道层裸露，剩余的

所述预备多层膜结构形成多层膜结构；

在裸露的所述沟道层的表面上、裸露的所述层叠结构的表面上以

及所述多层膜结构的表面上形成源极层。

S101

S102

S103

CN115084161A权利要求书1/2页

2

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供初始结构，所述初始结构包括沟道孔结构以及依次叠置的衬底、刻蚀停止结构以及层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的绝缘介质层以及栅极层，所述沟道孔结构贯穿所述层叠结构、所述刻蚀停止结构至所述衬底中，所述沟道孔结构包括沟道孔、位于所述沟道孔内的外延层、预备多层膜结构以及沟道层，所述外延层位于所述沟道孔的靠近所述衬底的端部，且所述外延层与所述衬底以及所述刻蚀停止结构分别接触，所述预备多层膜结构位于所述沟道孔的侧壁上以及所述外延层的靠近所述刻蚀停止结构的表面上，所述沟道层位于所述预备多层膜结构的远离所述沟道孔的侧壁的表面上，其中，所述外延层的材料包括多晶硅，所述刻蚀停止结构的材料不包括多晶硅；

依次去除所述衬底、所述外延层、所述刻蚀停止结构以及部分的所述预备多层膜结构，至少使得部分的所述沟道层裸露，剩余的所述预备多层膜结构形成多层膜结构；

在裸露的所述沟道层的表面上、裸露的所述层叠结构的表面上以及所述多层膜结构的表面上形成源极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止结构包括沿远离所述衬底的方向依次叠置的氧化层以及刻蚀停止层，依次去除所述衬底、所述外延层、所述刻蚀停止结构以及部分的所述预备多层膜结构，包括：

以所述氧化层为停止层，对所述衬底及所述外延层进行平坦化处理；

去除剩余的所述外延层；

采用第一预定气体，刻蚀去除所述氧化层以及部分的所述预备多层膜结构，使得所述刻蚀停止层以及所述沟道层裸露；

采用第二预定气体，刻蚀去除所述刻蚀停止层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除剩余的所述外延层，包括：

采用四甲基氢氧化铵对平坦化处理后的所述初始结构进行湿法