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p-GaN栅AlGaNGaN HEMTs器件关态和开态应力退化机制研究.pdf

p-GaN栅AlGaNGaN HEMTs器件关态和开态应力退化机制研究.pdf

    摘要

    GaN基HEMT器件具有高电子迁移率和高击穿电场等特点，在高功率和高

    频领域具有广阔的应用前景。由于自发极化与压电极化效应，AlGaN/GaN异质

    结界面会形成高密度的二维电子气，器件沟道处于导通状态，一般表现为常开特

    性。为实现常关特性并提高器件的应用安全性，在AlGaN层上外延生长p-GaN

    层，用于耗尽其下方的二维电子气。然而，p-GaN栅AlGaN/GaNHEMT仍然存

    在如阈值电压漂移、漏电流增大等

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