CN114566504A 三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114566504A(43)申请公布日2022.05.31

(21)申请号202210186721.0

(22)申请日2022.02.28

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人肖亮苗利娜李倩伍术

罗佳明艾义明颜元

其他发明人请求不公开姓名

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570专利代理师李镇江

(51)Int.CI.

H01L27/11582(2017.01)

H01L27/1157(2017.01)

权利要求书3页说明书14页附图12页

(54)发明名称

—S11在基底上形成停止层—S12在停止层上形成叠层结构

—S11

在基底上形成停止层

—S12

在停止层上形成叠层结构

-S13

形成沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构和停止层，并延伸至基底内

—S14

缩小沟道孔贯穿停止层的第一孔段的孔径

S15

在孔径缩小后的沟道孔中形成沟道结构

(57)摘要

CN114566504A本发明涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，包括：在基底上依次形成停止层和叠层结构；形成沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构和停止层，并延伸至基底内；缩小沟道孔贯穿停止层的第一孔段的孔径；在孔径缩小后的沟道孔中形成沟道结构，从而在去除沟道结构延伸出停止层的端部时，能够减少反应液(比如，研磨反应液)沿沟道结构内部的缝或空隙进入沟道

CN114566504A

CN114566504A权利要求书1/3页

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1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在基底上形成停止层；

在所述停止层上形成叠层结构；

形成沟道孔，所述沟道孔贯穿所述叠层结构和所述停止层，并延伸至所述基底内；

缩小所述沟道孔贯穿所述停止层的第一孔段的孔径；

在孔径缩小后的所述沟道孔中形成沟道结构。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述缩小所述沟道孔贯穿所述停止层的第一孔段的孔径的步骤，具体包括：

在所述第一孔段的内壁上形成第一外延部，以缩小所述第一孔段的孔径。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述基底包括衬底，且所述方法还包括：

在形成所述第一外延部时，同时在经由所述沟道孔底部露出的所述衬底表面上形成第二外延部。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述缩小所述沟道孔贯穿所述停止层的第一孔段的孔径缩径的步骤，具体包括：

对所述第一孔段的内壁进行氧化处理，使所述第一孔段的内壁露出的部分停止层被氧化为氧化物部，所述氧化物部从所述停止层中未被氧化的剩余停止层向所述第一孔段内的方向延伸至所述第一孔段内，以缩小所述第一孔段的孔径。

5.根据权利要求1至4任一项所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在孔径缩小后的所述沟道孔中形成沟道结构的步骤，具体包括：

在孔径缩小后的所述沟道孔的内壁上，形成包括沟道层的沟道结构；

在所述在孔径缩小后的所述沟道孔中形成沟道结构步骤之后，所述方法还包括：

去除所述基底，并露出所述沟道层的端部；

在所述停止层背离所述叠层结构的一侧形成覆盖且连接所述沟道层的端部的共源极层。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述沟道结构还包括存储功能层，所述存储功能层和所述沟道层依次形成于孔径缩小后的所述沟道孔的内壁上，且孔径缩小后的所述第一孔段的孔径大于所述存储功能层的厚度的两倍。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述去除所述基底，并露出所述沟道层的端部的步骤，具体包括：

对所述基底和所述沟道结构的延伸至所述基底内的端部进行研磨，直至露出所述停止层和所述沟道层的端部。

8.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，孔径缩小后的所述第一孔段的孔径等于零。

9.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述形成叠层结构的步骤包括：

在所述停止层上形成第一堆栈结构；

形成第一沟道孔，所述第一沟道孔贯穿所述第一堆栈结构和所述停止层，并延伸至所述基底内；

CN114566504A权利要求书2/3页

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