CN114496809A Htcc基板薄膜多层布线的制作方法 （中国电子科技集团公司第四十三研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114496809A(43)申请公布日2022.05.13

(21)申请号202210125543.0

(22)申请日2022.02.10

(71)申请人中国电子科技集团公司第四十三研究所

地址230088安徽省合肥市高新技术开发

区合欢路19号

H05KH05K

3/06(2006.01)

3/18(2006.01)

(72)发明人黄陈欢徐浩然孙函子姚艺龙高磊车江波马涛

(74)专利代理机构合肥天明专利事务所(普通合伙)34115

专利代理师张梦媚

(51Int.CL.

HO1LHO1LHO5K

21/48(2006.01)

23/498(2006.01)3/46(2006.01)

权利要求书1页

说明书6页附图3页

(54)发明名称

HTCC基板薄膜多层布线的制作方法

(57)摘要

V60896DIINO本发明公开了一种HTCC基板薄膜多层布线的制作方法，主要步骤有：S1、提供HTCC基板，抛光、清洗并高温真空热处理所述HTCC基板；S2、在所述HTCC基板的表面形成第一金属布线层；S3、在所述第一金属布线层的表面形成第一绝缘介质层；S4、重复步骤S2-S3至少4次，在HTCC基板表面完成不低于5层的薄膜多层布线。该制作方法可实现5层以上金属布线，解决了

V60896DIINO

CN114496809A权利要求书1/1页

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1.一种HTCC基板薄膜多层布线的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供HTCC基板，抛光、清洗并高温真空热处理所述HTCC基板；

S2、在所述HTCC基板的表面形成第一金属布线层；

S3、在所述第一金属布线层的表面形成第一绝缘介质层；

S4、重复步骤S2-S3至少4次，在HTCC基板表面完成不低于5层的薄膜多层布线。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述HTCC基板为填孔后的HTCC基板，其孔内填充金属高出所述HTCC基板表面不超过2μm。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S1中，所述抛光的目的是实现所述HTCC基板的表面粗糙度不超过0.03μm。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高温真空热处理的温度在150℃以上。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S2的具体工艺为：

S21、在所述HTCC基板表面形成金属种子层；

S22、对所述金属种子层进行光刻处理，露出金属布线区域；

S23、对所述金属布线区域进行电镀；

S24、剥离所述HTCC基板表面的光刻胶，对所述HTCC表面进行离子束刻蚀处理。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述金属种子层选自Ti/Au、Ti/Cu、Ni/Au、Ni/Cu中的一种。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述金属种子层采用电子束蒸发或磁控溅射形成。

8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤S22中，露出金属布线区域时，对通孔金属连接区进行扩大处理。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S3的具体工艺为：

S31、在所述第一金属布线层表面涂覆光敏聚酰亚胺胶，然后进行光刻操作，使连接孔

露出；

S32、对所述光敏聚酰亚胺胶进行亚胺化处理；

S33、对第一绝缘介质层表面进行离子束刻蚀处理。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述光敏聚酰亚胺胶为国产正性胶。

CN114496809A说明书1/6页

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HTCC基板薄膜多层布线的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于电子封装技术领域，特别涉及一种HTCC基板薄膜多层布线的制作方

法。

背景技术

[0002]随着封装技术的不断进步，封装密度不断增加，薄膜多层再布线技术(RDL,redistributionlayer)在Fan-out晶圆级、MCM等封装技术中得到了广泛应用。RDL技术使集成电路I/0的密度得到进一步提高，也使得焊盘阵列与芯片电路设计分离，显著降低了芯片的设计难度。

[0003]采用“多层薄膜+多层A1N基板”模式可以实现大规模集成电路的扇出。“