CN114475043A 光学防伪元件及其制作方法、防伪产品 (中钞特种防伪科技有限公司).docxVIP

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CN114475043A 光学防伪元件及其制作方法、防伪产品 (中钞特种防伪科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114475043A(43)申请公布日2022.05.13

(21)申请号202011255955.3

(22)申请日2020.11.11

(71)申请人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

申请人中国印钞造币总公司

(72)发明人胡春华朱军张义恒封敏宇

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

专利代理师肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

B42D25/30(2014.01)

B42D25/328(2014.01)

B42D25/378(2014.01)

B42D25/373(2014.01)

B42DB42DB42DGO2B

25/40(2014.01)

25/45(2014.01)

25/43(2014.01)5/10(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

光学防伪元件及其制作方法、防伪产品

(57)摘要

CN114475043A本发明实施例提供一种光学防伪元件及其制作方法、防伪产品。光学防伪元件包括起伏结构层,包括相对的第一表面和第二表面,第二表面包括第一区域和第二区域;第一区域具有第一微结构,第二区域具有第二微结构,其中第一微结构不同于第二微结构;第一反射层,位于第一区域上;第二反射层,至少位于第二区域上;从第一表面一侧观察时,第一区域和第二区域分别具有第一反射层和第二反射层呈现的视觉特征。通过上述技术方案,本发明实施例主要提供一种光学防伪元件,光学防伪元件通过起伏结构层分区设置,且在对应的各个区域对应设有不同的反射层,从而使得用户从起伏结构层的另一面观测,

CN114475043A

A---+----B-A

CN114475043A权利要求书1/2页

2

1.一种光学防伪元件,其特征在于,包括:

起伏结构层,包括相对的第一表面和第二表面,所述第二表面包括第一区域和第二区域;所述第一区域具有第一微结构,所述第二区域具有第二微结构,其中所述第一微结构不同于所述第二微结构;

第一反射层,位于所述第一区域上;

第二反射层,至少位于所述第二区域上;

其中从所述第一表面一侧观察时,所述第一区域和所述第二区域分别具有所述第一反射层和所述第二反射层呈现的视觉特征。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述第一反射层具有与所述第一微结构对应的起伏形状,所述第二反射层具有与所述第二微结构对应的起伏形状。

3.根据权利要求2所述的光学防伪元件,其特征在于,所述第一区域和所述第二区域的至少一者包括图案,所述图案包括线条和/或点,所述线条的宽度或者所述点的直径小于0.25mm。

4.根据权利要求2所述的光学防伪元件,其特征在于,

所述第一微结构或所述第二微结构包括周期性结构和非周期性结构中的至少一种;

所述第一微结构或所述第二微结构沿延展方向的截面结构包括正弦型结构、矩形光栅结构、梯形光栅结构、闪耀光栅结构、弧形光栅结构中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述第一微结构的比体积小于所述第二微结构的比体积。

6.根据权利要求5所述的光学防伪元件,其特征在于,

所述第一微结构的比体积的范围为0um3/um2至0.5um3/um2;

所述第二微结构的比体积的范围为0.4um3/um2至2um3/um2。

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述第一反射层由气相沉积工艺形成,所述第一反射层的材料包括铝、银、铜、锡、铬、镍、钛的至少一种。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述第一反射层的厚度的范围为10nm至80nm。

9.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述第一反射层为多层干涉光变镀层。

10.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述第二反射层或者所述第二反射层的子层由湿涂工艺形成。

11.根据权利要求9所述的光学防伪元件,其特征在于,所述多层干涉光变镀层包括镜面层、介电层以及吸收层,所述吸收层与所述起伏结构层相邻设置;

所述镜面层的材料包括铝、银、铜、锡、铬、镍、钛的至少一种;

所述介电层的材料包括MgF2、Si02、ZnS、TiN、Ti02、Ti0、Ti203、Ti305、Ta205、Nb2

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