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碳化硅芬顿-超声电化学机械抛光工艺优化及氧化行为探究.pdf

碳化硅芬顿-超声电化学机械抛光工艺优化及氧化行为探究.pdf

    摘要

    摘要

    作为第三代半导体材料的代表，碳化硅(SiC)凭借其显著的宽禁带特性与优

    异的耐高压性能，成为电子器件制造领域的核心材料之一。在光电子器件、功率

    器件等高新技术产业中，该材料展现出优异的应用价值。然而，在加工过程中产

    生的表面及亚表层损伤(如划痕、晶格缺陷等)会严重劣化器件性能与可靠性，因

    此抛光成为SiC晶片制备的重要环节。然而，SiC极高的硬度(莫氏硬度达9.2-

    9.6)及化学惰性导致其抛光效率非常

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