CN114551408A 封装体结构及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114551408A(43)申请公布日2022.05.27

(21)申请号202210050625.3

(22)申请日2022.01.17

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人陈鹏詹阳杨周厚德

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师张雪张颖玲

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

23/552(2006.01)

23/498(2006.01)

21/48(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

封装体结构及其制作方法

(57)摘要

CN114551408A本公开实施例公开了一种封装体结构及其制作方法，所述封装体结构包括：封装基板，具有相对的第一表面和第二表面；半导体芯片，设置于所述封装基板的第一表面上，与所述封装基板电连接；多个接地端子，设置于所述封装基板的第一表面上，且环绕所述半导体芯片；所述接地端子与所述封装基板的第一表面上的地线电连接；绝缘层，覆盖所述封装基板的第一表面、所述接地端子的局部区域以及所述半导体芯片；导电层，包覆所述绝缘层；其中，所述接地端子的至少

CN114551408A

CN114551408A权利要求书1/2页

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1.一种封装体结构，其特征在于，所述封装体结构包括：

封装基板，具有相对的第一表面和第二表面；

半导体芯片，设置于所述封装基板的第一表面上，与所述封装基板电连接；

多个接地端子，设置于所述封装基板的第一表面上，且环绕所述半导体芯片；所述接地端子与所述封装基板的第一表面上的地线电连接；

绝缘层，覆盖所述封装基板的第一表面、所述接地端子的局部区域以及所述半导体芯片；

导电层，包覆所述绝缘层；

其中，所述接地端子的至少部分区域从所述绝缘层的侧面露出，且与所述导电层电连接。

2.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，所述多个接地端子之间具有间隔距离，所述间隔距离大于或等于零。

3.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，所述接地端子的至少一部分，与所述地线接触。

4.根据权利要求1或2所述的封装体结构，其特征在于，

所述接地端子包括：相对所述第一表面凸起的接触端，所述接触端通过所述绝缘层的侧面露出，且与所述导电层电连接。

5.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，

所述地线至少部分环绕所述半导体芯片；

所述接地端子环绕所述地线。

6.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，所述封装体结构还包括：

导电球，位于所述封装基板的第二表面上，且与所述半导体芯片电连接，用于作为与所述半导体芯片电连接的触点。

7.根据权利要求6所述的封装体结构，其特征在于，在垂直于所述第一表面的方向上，所述接地端子的高度为：大于或等于20微米；

所述地线的厚度为：10微米至15微米；

所述封装基板厚度为：70微米至130微米。

8.一种封装体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一表面上设置有半导体芯片和地线的封装基板；其中，所述地线至少部分环绕所述半导体芯片；

设置环绕所述半导体芯片的多个接地端子材料；其中，所述接地端子材料与所述地线电连接；

形成覆盖所述封装基板的第一表面并包覆所述半导体芯片与所述接地端子材料的绝缘层；

切割所述绝缘层和所述接地端子材料，以从所述绝缘层的侧面显露剩余的所述接地端子材料；其中，剩余的所述接地端子材料形成所述接地端子，所述接地端子与所述地线电连

接；

形成包覆所述绝缘层的导电层，所述导电层与所述接地端子电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述设置环绕所述半导体芯片的多个接地

CN114551408A权利要求书2/2页

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端子材料，包括：

环绕所述半导体芯片，并列设置直接接触的所述多个接地端子材料；

或者，

环绕所述半导体芯片，间隔设置所述多个接地端子材料。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述切割所述绝缘层和所述接地端子材料，以从所述绝缘层的侧面显露剩余的所述接地端子材料，包括：

在垂直于所述第一表面的方向，沿所述接地端子材料的对称轴切割所述绝缘层和所述接地端子材料，以从所述绝缘层