CN114551377A 一种igbt驱动封装结构及制作方法 （杭州飞仕得科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114551377A(43)申请公布日2022.05.27

(21)申请号202210433564.9

(22)申请日2022.04.24

(71)申请人杭州飞仕得科技有限公司

地址311100浙江省杭州市余杭区东湖街

道龙船坞路96号1幢2层

(72)发明人王文广

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师王晓坤

H01FH01FH05KHO3K

27/30(2006.01)

27/32(2006.01)1/18(2006.01)17/567(2006.01)

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

HO1L

HO1F

HO1F

23/31(2006.01)

25/16(2006.01)

21/56(2006.01)

27/24(2006.01)

27/28(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图4页

(54)发明名称

一种IGBT驱动封装结构及制作方法

(57)摘要

CN114551377A本申请实施例公开了一种IGBT驱动封装结构及制作方法，包括：电路板，位于电路板表面的功率传输元件、信号传输元件、变压器、信号隔离芯片、塑封体，变压器包括磁芯和线圈，磁芯的电阻率不低于1*10?Ω-m,使得磁芯能够承受较高的电压，以使得该IGBT驱动封装结构具有较强的耐压能力。线圈缠绕在第三磁芯上，采用完全绝缘线FIW制成，绝缘性能较好，使得所述IGBT驱动封装结构具有较强的耐压能力，并且还可以减小所述变压器的尺寸，进而有助于减小所述IGBT驱动封装结构的尺寸。另外，该IGBT驱动封装结构利用塑封体统一封装，有助于降低该IGBT驱动封装结构的尺寸，使得该IGBT

CN114551377A

10

变压器20

12

功率传输单元17

A1

信号隔离芯片30

CN114551377A权利要求书1/2页

2

1.一种IGBT驱动封装结构，其特征在于，包括：

电路板，位于所述电路板表面的功率传输元件和信号传输元件；

位于所述电路板表面的变压器，所述变压器包括磁芯和线圈，所述磁芯包括相对设置的第一磁芯和第二磁芯，还包括第三磁芯和第四磁芯，所述第三磁芯两端分别与所述第一磁芯和所述第二磁芯相连，所述第四磁芯两端分别与所述第一磁芯和所述第二磁芯相连，所述第三磁芯和所述第四磁芯不相连，其中，所述磁芯的电阻率不低于1*10?Ω-m;所述线圈缠绕在所述第三磁芯上，与所述功率传输元件相连，其中，所述线圈采用完全绝缘线制成；

位于所述电路板表面的信号隔离芯片，所述信号传输元件包括功率传输单元和信号传输单元，所述信号传输单元与所述信号隔离芯片相连，所述功率传输单元与所述变压器相连；

塑封体，所述塑封体覆盖所述电路板表面，且沿第一方向延伸，包覆所述变压器、所述功率传输元件、所述信号隔离芯片以及所述信号传输元件，其中，所述第一方向垂直于所述电路板表面。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述磁芯的材料为镍锌铁氧体；所述线圈包括铜线以及覆盖所述铜线除其端面以外表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层厚度的取值范围为0~0.3mm,包括右端点值。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述电路板包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，其中，所述第一区域为高压区域，其电压大于1000V,所述第二区域为低压区域，其电压低于1000V,并且所述第三区域表面具有覆盖所述第三区域表面的第二绝缘层，绝缘隔离所述第一区域和所述第二区域。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述功率传输元件包括第一功率传输元件和第二功率传输元件，所述第一功率传输元件位于所述第一区域，所述第二功率传输元件位于所述第二区域；

所述变压器位于所述第一区域，且位于所述第二区域，所述线圈包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈缠绕在所述第三磁芯上，与所述第一功率传输元件相连；所述第二线圈缠绕在所述第一线圈上，与所述第二功率传输元件相连。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述信号传输元件包括第一信号传输元件和第二信号传输元件，所述第一信号传输元件位于所述第一区域，所述第二信号传输元件位于所述第二区域，所述第一信号传输元件包括第一信号传输单元和第一功率传输单元，所述第二信