CN114420521A 一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法 （深圳奥镨科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114420521A

(43)申请公布日2022.04.29

(21)申请号202210043095.X

(22)申请日2022.01.14

(71)申请人深圳奥镨科技有限公司

地址518000广东省深圳市坪山区坪山街

道金牛西路16号华瀚科技工业园2号

厂房一楼

(72)发明人李健

(74)专利代理机构广东良马律师事务所44395代理人李良

(51)Int.CI.

HO1J23/12(2006.01)

HO1J9/24(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制

作方法

(57)摘要

CN114420521A本发明公开了一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法。其中，太赫兹波导器件的输出窗口，所述输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管中，其包括由内至外设置的第一介质组件、中间介质层、第二介质组件，通过第一介质组件、中间介质层、第二介质组件使基管与大气隔离。本发明采用激光切割及研磨制作中间介质层和石英层、采用热拉伸法或注塑法制作塑料层，从而形成三层或以上的介质层与单层介质结构的输出窗口相比，太赫兹真空电子器件可获得更低的太赫兹波反射率，而且更低反射率所对应的

CN114420521A

大气

大气

CN114420521A权利要求书1/1页

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1.一种太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管中，其包括由内至外设置的第一介质组件、中间介质层、第二介质组件，通过第一介质组件、中间介质层、第二介质组件使基管与大气隔离。

2.根据权利要求1所述的太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述第一介质组件包括第一石英层和第一塑料层，所述第一塑料层设置于第一石英层的外侧。

3.根据权利要求2所述的太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述中间介质层为氧化铝陶瓷层或蓝宝石层。

4.根据权利要求2所述的太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述第二介质组件包括设置于中间介质层外侧的第二塑料层和设置于第二塑料层外侧的第二石英层。

5.一种太赫兹波导器件的输出窗口的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

仿真设定第一介质组件、中间介质层、第二介质组件的形状、尺寸和厚度；

制作第一介质组件、第二介质组件和中间介质层；

将第一介质组件、中间介质层、第二介质组件依次组贴合成太赫兹波导器件的输出窗口；

使所述输出窗口嵌入太赫兹波导器件的基管内壁中。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质组件包括第一石英层和第一塑料层，所述第一塑料层设置于第一石英层的外侧，所述中间介质层为氧化铝陶瓷层或蓝宝石层，所述第二介质组件包括设置于中间介质层外侧的第二塑料层和设置于第二塑料层外侧的第二石英层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，制作中间介质层的方法包括：

采用激光切割机将中间介质层原料切割为设定形状和尺寸的中间介质层毛料；

采用研磨机将中间介质层毛料研磨至设定的厚度。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，制作第一塑料层或第二塑料层的方法包括：

加热热塑性塑料至第一设定温度；

通过横向拉伸及纵向拉伸使热塑性塑料拉伸为预设厚度的热塑性薄膜；

在拉伸状态下，通过热定型或冷却处理使热塑性薄膜冷却。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，制作第一塑料层或第二塑料层的方法包括：

采用注塑机加热热塑性塑料至黏流态；

使黏流态的热塑性塑料注入注塑机模具的型腔中；

通过保压冷却，使热塑性塑料固化。

10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述将第一介质组件、中间介质层、第二介质组件依次组贴合成太赫兹波导器件的输出窗口包括：

在第一石英层、第一塑料层、中间介质层、第二塑料层、第二石英层的周缘涂敷粘合剂；依次将第一石英层、第一塑料层、中间介质层、第二塑料层、第二石英层粘合。

CN114420521A说明书1/5页

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一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及真空电子器件技术领域，特别涉及一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作