CN114388440A 半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114388440A

(43)申请公布日2022.04.22

(21)申请号202111651587.9

(22)申请日2021.12.30

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人颜丙杰

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人李莎

(51)Int.CI.

HO1L21/8234(2006.01)

HO1L27/088(2006.01)

HO1L27/11529(2017.01)

HO1L27/11573(2017.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统

(57)摘要

CN114388440A本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述方法包括：提供基底和多个栅极结构，所述基底包括多个间隔设置的有源区，所述多个栅极结构一一对应地位于多个有源区上；在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层。本发明实施例能够降

CN114388440A

提供基底和多个栅极结构，所述基底包括多个间隔设置的有源区，所述多个栅极结构一一对应地位于多个有源区上

在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层

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CN114388440A权利要求书1/2页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底和多个栅极结构，所述基底包括多个间隔设置的有源区，所述多个栅极结构一一对应地位于多个有源区上；

在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述间隔层包括第一介质层和第二介质层；

所述在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层的步骤，包括：

在所述相邻栅极结构之间形成牺牲层，所述牺牲层的高度小于所述栅极结构的高度，所述牺牲层与所述第一介质层的材料不同；

在所述相邻栅极结构之间形成具有开口的第一介质层，且所述第一介质层位于所述牺牲层上；

通过所述开口去除所述牺牲层，以在所述相邻栅极结构之间形成与所述开口相连通的牺牲间隙；

通过所述开口在所述牺牲间隙中形成具有所述空隙的所述第二介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述相邻栅极结构之间形成牺牲层的步骤，包括：

在所述栅极结构上形成初始牺牲层，所述初始牺牲层还填充在所述相邻栅极结构之间；

对所述初始牺牲层进行刻蚀，以去除所述栅极结构背离所述基底一侧的部分初始牺牲层以及所述相邻栅极结构之间的部分初始牺牲层，得到所述牺牲层。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述相邻栅极结构之间形成具有开口的第一介质层的步骤，包括：

在所述栅极结构上形成初始介质层，所述初始介质层覆盖所述牺牲层；

对所述初始介质层进行刻蚀，以去除所述栅极结构背离所述基底一侧的部分初始介质层，并在所述相邻栅极结构之间的初始介质层中形成所述开口，得到所述第一介质层。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通过所述开口在所述牺牲间隙中形成具有所述空隙的所述第二介质层的步骤，包括：

在所述栅极结构上形成所述第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，并通过所述开口延伸至所述牺牲间隙中，使所述第二介质层在所述牺牲间隙中具有所述空隙。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层的步骤之前，还包括：

对所述栅极结构的表面进行氧化，以在所述栅极结构的表面形成保护层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述有源区为鳍式有源区，所述栅极结构位于所述鳍式有源区上并沿所述鳍式有源区的侧壁延伸。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，包括多个间隔设置的有源区；

多个栅极结构，所述多个栅极结构一一对应地位于多个有源区上；

间隔层，至少位于相邻栅极结构之间，且位于所述相邻栅极结构之间的间隔层中具有空隙。

CN114388440A权利要求书2/2页

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9.根据