CN114420568A 存储器的制作方法及存储器 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114420568A

(43)申请公布日2022.04.29

(21)申请号202111630356.X

(22)申请日2020.01.02

(62)分案原申请数据

202010000803.22020.01.02

H01LH01L

27/11551(2017.01)

27/11578(2017.01)

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人黄驰吕术亮马亮李远孙祥烈万先进

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

代理人赵翠萍浦彩华

(51)Int.CI.

HO1L21/48(2006.01)

HO1L23/498(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图6页

(54)发明名称

存储器的制作方法及存储器

在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层

在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层

形成覆盖第一阻挡层的第一导电层；其中，第一导电层具有第二

晶相结构，具有第二晶相结构的第一导电层与具有第一晶相结构

的第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件

S110

CN114420568A(57)摘要本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、半导体器件，所述制作方法包括：在第一衬底上形成具有第一晶胞结构类型的第一阻挡层；形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层的晶体生长方向为第一晶体生

CN114420568A

(57)摘要

CN114420568A权利要求书1/3页

2

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层，所述第一晶相结构表示晶胞结构类型；

形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层具有第二晶相结构，所述第二晶相结构表示晶体生长方向，所述第一导电层与所述第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一衬底上形成第二阻挡层；其中，所述第一导电层向所述第二阻挡层扩散的扩散率，小于所述第一导电层向所述第一阻挡层扩散的扩散率；

所述在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层，包括：

基于所述第二阻挡层的形貌，在所述第一衬底上形成覆盖所述第二阻挡层的具有所述第一晶相结构的所述第一阻挡层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在具有第二导电层的所述第一衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成沟道；其中，所述第二导电层的至少部分区域通过所述沟道显露；所述在所述第一衬底上形成第二阻挡层，包括：

基于所述沟道的形貌，在所述第一衬底上形成覆盖所述沟道侧壁和所述沟道底部的所述第二阻挡层；其中，所述第二阻挡层，位于所述绝缘层和所述第一阻挡层之间，且位于所述第二导电层和所述第一阻挡层之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将第二衬底与形成有所述第一阻挡层及所述第一导电层的所述第一衬底贴合；其中，所述第二衬底与所述第一导电层连接。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二衬底表面形成具有所述第二晶相结构的第三导电层；

所述将第二衬底与形成有所述第一阻挡层及所述第一导电层的所述第一衬底贴合，包括：

将所述第三导电层与所述第一导电层贴合。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层包括：具有所述第一晶相结构的第一部分和具有第三晶相结构的第二部分；其中，所述第二部分的电阻率小于所述第一部分的电阻率；

所述第一导电层与所述第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件，包括：

所述第一导电层与所述第一部分具有第一晶格匹配度，所述第一导电层与所述第二部分具有第二晶格匹配度，所述第一晶格匹配度大于所述第二晶格匹配度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一晶相结构为β晶相；所述第三晶相结构为α晶相。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体生长方向为(111)取向。

9.一种存储器，其特征在于，包括：

第一衬底；

第一导电层；其中，所述第一导电层具有第二晶相结构