CN114400496A 半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条 （西安立芯光电科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114400496A

(43)申请公布日2022.04.26

(21)申请号202111582518.7

(22)申请日2021.12.22

(71)申请人西安立芯光电科技有限公司

地址710077陕西省西安市高新区丈八六

路56号2号楼1层

(72)发明人赵永超王琛琛李青民侯海峰徐斌

(74)专利代理机构西安智邦专利商标代理有限公司61211

代理人郑丽红

(51)Int.CI.

HO1S5/02(2006.01)

HO1S5/40(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条

(57)摘要

CN114400496A本发明提供一种半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条，主要解决现有激光器阵列巴条存在光束质量较差以及容易烧毁的问题。该方法在外延晶体表面层进行刻蚀，形成表面脊条结构，脊条宽度控制在1-5微米，两脊之间间距大于5微米，以上设置不仅提高了阵列巴条的功率，而且使其光束质量远超宽条单管器件的光束质量，同时本发明方法在巴条边缘形成多次台阶，并覆盖绝缘层氧化膜层，此台阶及

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CN114400496A权利要求书1/1页

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1.一种半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在N型衬底层表面使用MOCVD生长外延晶体材料，形成外延晶体层；

步骤二、在外延晶体层表面按照阵列巴条进行光刻刻蚀，形成多个依次排列的发光脊条，发光脊条的宽度为1～5um,相邻发光脊条之间的间距大于5um,刻蚀深度至N型衬底层的上表面；

步骤三、对N型衬底层边缘多次刻蚀形成多个台阶，各台阶深度为3～5um,宽度为50~100um,随后，在发光脊条表面、N型衬底层的上表面生长绝缘层氧化物，形成绝缘介质层；生长绝缘层氧化物时，在发光脊条的正上方开设电流注入窗口，电流注入窗口的宽度为2-5um;

步骤四、在发光脊条表面、N型衬底层的上表面制作导电金属层，随后将台阶区域的导电金属层去除；

步骤五、对N型衬底层的下表面进行厚度减薄，随后在N型衬底层的下表面制作导电金属层；

步骤六、解理巴条制作腔面膜层，阵列巴条制作完成，将制作的阵列巴条设置在热沉上方进行封装，且热沉上表面设置有焊料层。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，多个发光脊条之间的间距设置为相等或不相等。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，发光脊条包括由下至上依次设置的N型限制层、量子阱波导层和P型限制层。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤三中，对N型衬底层边缘进行多次湿法腐蚀或者干法刻蚀，从而形成多个台阶。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，在外延晶体层表面按照阵列巴条进行湿法腐蚀或者干法刻蚀，从而形成多个发光脊条。

6.一种半导体激光器阵列巴条，其特征在于：包括N型衬底层(3)以及设置在N型衬底层

(3)上表面的多个发光脊条(8),所述发光脊条(8)的宽度为1～5um,相邻发光脊条(8)之间的间距大于5um;

所述N型衬底层(3)的上表面边缘设置有多个台阶(2),各台阶(2)深度为3～5um,宽度为50～100um;

所述发光脊条(8)表面、N型衬底层(3)的上表面设置有绝缘介质层(9),且发光脊条(8)的正上方开设电流注入窗口(5),电流注入窗口的宽度为2-5um;

所述电流注入窗口(5)外侧、绝缘介质层(9)的外侧以及N型衬底层(3)的下表面均设置有导电金属层。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器阵列巴条，其特征在于：多个发光脊条(8)之间的间距设置为相等或不相等。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器阵列巴条，其特征在于：所述发光脊条(8)包括由下至上依次设置的N型限制层(7)、量子阱波导层(6)和P型限制层(4)。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器阵列巴条，其特征在于：所述发光脊条(8)通过设置在N型衬底层(3)表面的外延晶体层刻蚀形成。

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