CN114400188A 一种封装结构及其制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114400188A布日2022.04.26

(21)申请号202210041696.7

(22)申请日2022.01.14

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区西丽学

苑大道1088号

(72)发明人刘旭叶怀宇张国旗

(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463

代理人戴尧罡

(51)Int.CI.

HO1L21/56(2006.01)

H01L23/31(2006.01)

H01L23/488(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

H01L23/492(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种封装结构及其制作方法

(57)摘要

CN114400188A本申请提供了一种封装结构及其制作方法，涉及芯片封装技术领域。首先基于铜基板设置第一连接层，然后基于第一连接层贴装芯片，再对第一连接层与芯片进行烧结，以实现互连，再基于芯片表面的键合位置设置第二连接层，并对第二连接层与芯片进行烧结，最后利用键合线分别连接第二连接层与铜基板的预设位置，其中，第一连接层、第二连接层以及键合线的制作材料中

CN114400188A

基于铜基板设置第一连接层

基于第一连接层贴装芯片

对第一连接层与芯片进行烧结，以实现互连

基于芯片表面的键合位置设置第二连接层

对第二连接层与芯片进行烧结

利用键合线分别连接第二连接层与铜基板的预设位置；其中，第一连接层、第二连接层以及键合线的制作材料中均包括铜质材料

S102

S104

S106

S108

SI10

SI12

CN114400188A权利要求书1/2页

2

1.一种封装结构制作方法，其特征在于，装结构制作方法包括：

基于铜基板设置第一连接层；

基于所述第一连接层贴装芯片；

对所述第一连接层与所述芯片进行烧结，以实现互连；

基于所述芯片表面的键合位置设置第二连接层；

对所述第二连接层与所述芯片进行烧结；

利用键合线分别连接所述第二连接层与所述铜基板的预设位置；

其中，所述第一连接层、所述第二连接层以及所述键合线的制作材料中均包括铜质材料。

2.如权利要求1所述的封装结构制作方法，其特征在于，在对所述第二连接层与所述芯片进行烧结的步骤之前，所述方法还包括：

基于所述第二连接层的表面设置缓冲层，以使所述缓冲层盖设于所述第二连接层的表面。

3.如权利要求1所述的封装结构制作方法，其特征在于，所述基于所述芯片表面的键合位置设置第二连接层的步骤包括：

在所述芯片表面设置带有开口的印刷钢网，其中，所述开口露出所述芯片的键合位置；沿所述印刷钢网在所述芯片表面涂覆铜膏；

去除所述印刷钢网，以在所述芯片表面的键合位置形成第二连接层。

4.如权利要求1所述的封装结构制作方法，其特征在于，所述基于所述芯片表面的键合位置设置第二连接层的步骤包括：

基于所述芯片表面的键合位置贴附铜膜，以形成第二连接层。

5.如权利要求1所述的封装结构制作方法，其特征在于，所述对所述第一连接层与所述芯片进行烧结及对所述第二连接层与所述芯片进行烧结的步骤包括：

在200℃~300℃、烧结压力为OMPa～30MPa的防氧化环境中烧结1min～30min;或在200℃~300℃的防氧化环境中烧结1min～90min。

6.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

铜基板；

与所述铜基板相连的第一连接层；

与所述第一连接层相连的芯片；

与所述芯片表面的键合位置相连的第二连接层；及

分别连接所述第二连接层与所述铜基板的预设位置相连的键合线；

其中，所述第一连接层、所述第二连接层以及所述键合线的制作材料中均包括铜质材料。

7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第一连接层的面积大于所述芯片的面积。

8.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第二连接层的厚度为20μm～1000μ

m。

9.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，制作所述第一连接层与所述第二连接层的材料相同。

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CN114400188A权利要求书2/2页

10.如权利要求6所述的