CN114188328A 三维存储器的制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114188328A布日2022.03.15

(21)申请号202111321700.7

(22)申请日2021.11.09

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人孙璐

(74)专利代理机构

代理人张雪

杨永刚

北京派特恩知识产权代理有限公司11270

张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L27/115(2017.01)

H01L27/11524(2017.01)

H01L27/11556(2017.01)

H01L27/1157(2017.01)

H01L27/11582(2017.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

三维存储器的制作方法

(57)摘要

CN114188328A本公开实施例提供了一种三维存储器的制作方法，包括：在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；形成覆盖核心区和台阶区的第一介质层；对覆盖核心区的第一介质层进行第一蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域；形成覆盖剩余的第一介质层以及核心区暴露区域的第二介质层；其中，覆盖台阶区的第二介质层的表面与衬底之间的距离，大于核心区的表面与衬底之间的距离；对覆盖核心区的第二介质层进行第二蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域；在第二蚀刻

CN114188328A

S301

S301

在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构

S302

形成覆盖核心区和台阶区的第一介质层

S303

对覆盖核心区的第一介质层进行第一蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域

形成覆盖剩余的第一介质层以及核心区暴露区域的第二介质层；其中，覆盖台阶区的第二介质层的表面与衬底之间的距离，大于核心区的表面与衬底之间的距离

对覆盖核心区的第二介质层进行第二蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域

S306

在第二蚀刻之后，对台阶区和核心区进行平坦化处理，以使台阶区表面与核心区表面平齐

305

S304

CN114188328A权利要求书1/2页

2

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；

形成覆盖所述核心区和所述台阶区的第一介质层；

对覆盖所述核心区的所述第一介质层进行第一蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域；

形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区暴露区域的第二介质层；其中，覆盖所述台阶区的所述第二介质层的表面与所述衬底之间的距离，大于所述核心区的表面与所述衬底之间的距离；

对覆盖所述核心区的所述第二介质层进行第二蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域；

在所述第二蚀刻之后，对所述台阶区和所述核心区进行平坦化处理，以使所述台阶区表面与所述核心区表面平齐。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介质层包括第三子层以及第四子层；

所述形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区的暴露区域的第二介质层，包括：

形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区的暴露区域的第三子层；

形成覆盖所述第三子层的第四子层；其中，所述第三子层的台阶覆盖率，大于所述第四子层的台阶覆盖率。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成所述第一介质层之前，所述方法还包括：形成覆盖所述核心区的阻挡层；

所述对覆盖所述核心区的所述第一介质层进行第一蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域，包括：对覆盖所述核心区的所述第一介质层进行第一蚀刻，直至显露所述阻挡层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对覆盖所述核心区的所述第二介质层进行第二蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域，包括：

对所述核心区的所述第二介质层进行第二蚀刻，直至显露所述阻挡层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述对所述台阶区和所述核心区进行平坦化处理，以使所述台阶区表面与所述核心区表面平齐，包括：

对覆盖所述台阶区和所述核心区的所述第二介质层以及所述第一介质层进行平坦化处理，直至所述台阶区表面与覆盖所述核心区的阻挡层平齐。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述平坦化处理之前，所述方法还包括：

对所述台阶区进行第一热处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述平坦化处理之后，所述方法还包括：

对所述台阶区进行第二热处理。

8.根据权利要求1所