CN114234952A 高分辨角速度传感器、其制作方法及应用 （江西省纳米技术研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114234952A

(43)申请公布日2022.03.25

(21)申请号202111575988.0

(22)申请日2021.12.21

(71)申请人江西省纳米技术研究院

地址330000江西省南昌市南昌县小蓝经

济技术开发区罗珠路278号

申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

(72)发明人张瑞英

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

代理人王锋

(51)Int.CI.

GO1C19/72(2006.01)

H01S5/50(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图8页

(54)发明名称

高分辨角速度传感器、其制作方法及应用

(57)摘要

CN114234952A本发明公开了一种高分辨角速度传感器、其制作方法及应用。该高分辨角速度传感器包括半导体光学放大器和无源环形谐振腔，该半导体光学放大器内嵌于环形谐振腔内。本发明通过将有源增益区内嵌于环形谐振腔内，实现了损耗补偿型的环形谐振腔角速度传感器，其中通过载流子注入有源增益区提供的增益补偿环内损耗，使得小尺寸环形谐振腔可获得高品质因子，有效突破InP系损耗对角速度传感器分辨率的限制，有助于获得高分辨角速度传感器，进而为实现片上集成光学陀螺奠定基础，并且该高分辨角速度传感

CN114234952A

(10)

(10)

K(%)

CN114234952A权利要求书1/2页

2

1.一种高分辨角速度传感器，其特征在于，包括半导体光学放大器和无源环形谐振腔，所述半导体光学放大器内嵌于环形谐振腔内，所述半导体光学放大器在被注入载流子时能够产生增益，从而补偿所述无源环形谐振腔自身产生的损耗。

2.根据权利要求1所述的高分辨角速度传感器，其特征在于，还包括输入输出波导，所述输入输出波导与无源环形谐振腔相邻设置并相互耦合。

3.根据权利要求1所述的高分辨角速度传感器，其特征在于：所述半导体光学放大器包括在衬底上依次生长的缓冲层、下分别限制层、有源增益层、上分别限制层、第一包覆层和接触层；以及

所述无源环形谐振腔包括在衬底上依次形成的缓冲层、下分别限制层、混杂后的量子阱区、上分别限制层和第一包覆层，

或者，所述无源环形谐振腔包括在所述衬底上依次形成的缓冲层、无源波导层和第二包覆层。

4.根据权利要求3所述的高分辨角速度传感器，其特征在于：所述衬底包括Si衬底、GaAs衬底、InP衬底或GaN衬底。

5.根据权利要求4所述的高分辨角速度传感器，其特征在于：所述衬底为InP衬底，且所述衬底为P型衬底、N型衬底或者半绝缘衬底；和/或，所述缓冲层为InP缓冲层；和/或，所述上分别限制层、下分别限制层的材质包括InGaAsP、InGaAlAs或者InGaNAs;和/或，所述上分别限制层、下分别限制层的厚度为0.01-1.5μm;和/或，所述有源增益层包括InGa1-xAs,P1-y层、In?Ga1-xAsy?P1-y1/InGa1-×2Asy?P1-y?或In?Ga1-x?Asy?P1-y?/In?Ga?A1-x?-y?As多量子阱中的任一种，其中x、x1、x2、x3、x4、y、y1、y2、y3、y4均大于或等于0而小于或等于1;和/或，所述第一包覆层、第二包覆层为InP包覆层；和/或，所述接触层为InGaAs接触层；和/或，所述接触层的厚度为0.1-1μm、掺杂浓度为1*101?-1*102cm?3。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的高分辨角速度传感器，其特征在于：所述半导体光学放大器和无源环形谐振腔一体设置。

7.一种高分辨角速度传感器的制作方法，其特征在于，包括：

S1、在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层、有源增益层、上分别限制层、第一包覆层和接触层，形成角速度传感器的材料结构；

S2、在所述材料结构上定义出角速度传感器的有源增益区和无源波导区，所述有源增益区、无源波导区分别对应角速度传感器的半导体光学放大器、无源环形谐振腔；

S3、在所述材料结构表面定义出角速度传感器的整体波导结构，并使无源波导区与输入输出波导相邻设置且形成平面耦合；

S4、在所述材料结构表面沉积介质膜以钝化无源波导区和输入输出波导；

S5、在所述介质膜对应于有源增益区的部分开设电极窗口，并利用所述电极窗口制作与所述有源增益区配