CN112928206B 一种mtj及其驱动方法和制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112928206B(45)授权公告日2022.08.19

(21)申请号202110118880.2

(22)申请日2021.01.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112928206A

(43)申请公布日2021.06.08

(73)专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

专利权人中国科学院微电子研究所

(72)发明人崔岩许静张骥

(51)Int.CI.

HO1L43/08(2006.01)

H01L43/10(2006.01)

HO1L43/12(2006.01)

HO1L45/00(2006.01)

(56)对比文件

US2015008547A1,2015.01.08CN108336223A,2018.07.27

EP2568305A1,2013.03.13审查员杨旭婷

(74)专利代理机构无锡市汇诚永信专利代理事

务所(普通合伙)32260专利代理师朱晓林

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种MTJ及其驱动方法和制作方法

(57)摘要

CN112928206B本发明涉及MTJ技术领域，公开了一种MTJ及其驱动方法和制作方法，该MTJ包括参考层，参考层的上表面设有势垒层，势垒层的上表面设有自由层，自由层的上表面设有阻变层，阻变层的上表面和参考层的下表面之间存在压降时，阻变层向自由层迁移氧离子，迁移到自由层的氧离子会和自由层的Fe和Co结合生成没有磁性的Fe0和Co0氧化物，进而降低自由层的磁矩翻转电流，降

CN112928206B

67

HfOx

CoFeB

MgO

CoFeB

5

3

2

1

CN112928206B权利要求书1/1页

2

1.一种MTJ,其特征在于：包括参考层，所述参考层的上表面设有势垒层，所述势垒层的上表面设有自由层，所述自由层的上表面设有阻变层，所述阻变层的上表面和所述参考层的下表面之间存在压降时，所述阻变层向所述自由层迁移氧离子；所述阻变层的外围还设有保护层，所述保护层上在阻变层的上表面处开设有第一电极孔、在自由层的上表面处开设有第二电极孔，所述第一电极孔内安装有第一电极，所述第一电极与阻变层电连接，所述第二电极孔内安装有第二电极，所述第二电极与自由层电连接。

2.根据权利要求1所述的一种MTJ,其特征在于：所述自由层和参考层的材料均是CoFeB,所述势垒层用到的材料是Mg0,所述阻变层用到的材料是Hf0x。

3.一种MTJ的驱动方法，应用如权利要求1-2任一项所述的MTJ,其特征在于，包括以下步骤：

S1:先将所述MTJ的阻变层的上表面接入电源；

S2:接着将所述MTJ的参考层的下表面接地，使阻变层的上表面和参考层的下表面之间存在压降，让阻变层向自由层迁移氧离子；

S3:断开阻变层的上表面与电源之间的连接，使自由层的上表面接入第二电源，实现MTJ的状态读取。

4.一种MTJ的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10:制作胚体，具体如下：先进行CoFeb薄膜沉积，接着在CoFeB薄膜上从下往上依次制备Mg0薄膜、第二CoFeB薄膜和HfOx薄膜；

S11:对步骤S1的胚体进行曝光和刻蚀，制作圆柱形状的第一标准件；

S12:使用PR掩膜对步骤S2中的第一标准件顶层的Hf0x薄膜进行曝光和套刻，HfOx薄膜的曝光和套刻部分为光阻区，接着对HfOx薄膜进行刻蚀，制作第二标准件；

S13:在第二标准件的Hf0x薄膜外围进行介质填充，制作保护层；

S14:在保护层上面分别开设第一电极孔和第二电极孔，所述第一电极孔延伸至HfOx薄膜的上表面，所述第二电极孔延伸至CoFeB薄膜的上表面；

S15:在第一电极孔中进行电极沉积，制作第一电极，所述第一电极与Hf0x薄膜的上表面电连接，在第二电极孔进行电极沉积，制作第二电极，所述第二电极与CoFeB薄膜的上表面电连接。

5.根据权利要求4所述的一种MTJ的制作方法，其特征在于，所步骤S2中的第一标准件的直径大于Onm、小于100nm,步骤S3中的第二标准件的HfOx薄