CN112867236A Ic封装基板及ic封装基板的制作方法 （上海美维科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN112867236A布日2021.05.28

(21)申请号202110082734.9

(22)申请日2021.01.21

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人石新红周华梅黄剑张军黄丽君付海涛

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

代理人佟婷婷

(51)Int.CI.

H05K1/02(2006.01)

HO5K1/11(2006.01)

HO5K3/42(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图7页

(54)发明名称

IC封装基板及IC封装基板的制作方法

(57)摘要

CN112867236A本发明提供一种IC封装基板及其制作方法，制作方法包括：提供具有相对第一面和第二面的芯板，自第一面在芯板中进行第一次开孔，形成若干个第一孔，在第一孔内填充第一导电材料，自第二面在芯板中进行第二次开孔，形成若干个第二孔，在第二孔内填充第二导电材料，第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，以进行散热。本发明的IC封装基板制作中，通过高密度通孔实现印刷线路板的散热，基于通孔填孔的方式替代现有埋铜块的制作方法，还可以将散热结构与线路层制备结构，提高线路板散热效果，提高结构的

CN112867236A

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提供芯板，所述芯板具有相对的第一面和第二面

自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔，以在所述芯板中形成若干个第一孔

在所述第一孔内填充第一导电材料，所述第一导电材料至少延伸至所述第一面

自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔，以在所述芯板中形成若干个第二孔，所述第一孔与所述第二孔之间具有间距

在所述第二孔内填充第二导电材料，所述第二导电材料至少延伸

至所述第二面：其中，所述第一孔内的第一导电材料构成第一导

电柱，所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，所述第一

导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热

S5

CN112867236A权利要求书1/2页

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1.一种IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

提供芯板，所述芯板具有相对的第一面和第二面；

自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔，以在所述芯板中形成若干个第一孔；

在所述第一孔内填充第一导电材料，所述第一导电材料至少延伸至所述第一面；

自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔，以在所述芯板中形成若干个第二孔，所述第一孔与所述第二孔之间具有间距；

在所述第二孔内填充第二导电材料，所述第二导电材料至少延伸至所述第二面；

其中，所述第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，所述第一导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热。

2.根据权利要求1所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第一孔内填充所述第一导电材料的步骤包括：

至少在所述第一孔内壁及第一孔周围的所述第一面表面形成第一厚度的第一导电层；至少在所述第一面上形成显露所述第一孔的第一干膜；

在所述第一孔中形成第二导电层，以形成所述第一导电柱；

和/或，在所述第二孔内填充所述第二导电材料的步骤包括：

至少在所述第二孔内壁及第二孔周围的所述第二面上形成第二厚度的第三导电层；

至少在所述第二面上形成显露所述第二孔的第二干膜；

在所述第二孔中形成第四导电层，以形成所述第二导电柱。

3.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一孔及所述第二孔均贯穿所述芯板，所述第一导电层同时形成在所述第一面和所述第二面的表面，所述第三导电层形成在所述第一面及所述第二面表面的所述第一导电层上，所述第一导电层及所述第二导电层构成位于所述芯板双面的线路制备层。

4.根据权利要求3所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第三导电层均采用闪镀的工艺；所述第一厚度与所述第二厚度概呈相同。

5.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一干膜中形成有若干个第一窗口，所述第一窗口对应显露所述第一孔，且与所述第一孔的边缘之间的距离介于20-200μm之间；和/或，所述第二干膜中形成有若干个第二窗口，所述第二窗口对应显露所述第二孔，且与所述第