CN113035996B 一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池及制作方法 （新疆硅基新材料创新中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113035996B(45)授权公告日2023.04.14

(21)申请号201911359161.9

(22)申请日2019.12.25

(65)同一申请的已公布的文献号

申请公布号CN113035996A

(43)申请公布日2021.06.25

(73)专利权人新疆硅基新材料创新中心有限公司

地址831500新疆维吾尔自治区乌鲁木齐

市高新技术产业开发区甘泉堡经济技术开发区(工业园)众欣街2249号研发楼六层

(72)发明人陈劲风银波

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)HO1L31/0216(2014.01)HO1L31/0352(2006.01)

(56)对比文件

CN102185020A,2011.09.14

CN102956719A,2013.03.06

CN103489932A,2014.01.01

CN107863419A,2018.03.30

CN108365022A,2018.08.03

CN110255888A,2019.09.20

审查员井二宝

有限公司11112专利代理师罗建民邓伯英

权利要求书1页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池及制作方法

(57)摘要

CN113035996B本发明公开一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，包括：S1,取硅片，清洗制绒，在硅片正面设定SE区域，并在所述SE区域印刷含磷纳米硅浆；S2,在POCl?氛围中进行磷扩散，在SE区域形成磷重掺区域，得到磷硅玻璃；S3,去除磷硅玻璃，进行背面刻蚀，在硅片正面沉积减反膜，在硅片背面沉积钝化膜；S4,在硅片背面的钝化膜上印刷高浓度硼纳米硅浆，再用激光扫描，以实现定域掺硼；S5,在硅片背面印刷铝浆，在硅片正面的所述SE结构上印刷银浆；S6,进行烧结，形成电池。本发明还公开一种采用上述方法制作的高效电池。本发明通过形成SE结构和

CN113035996B

制绒

制绒扩散

沉积正面减反膜和背面钝化膜

印刷正银和背铝

形成SE去PSG和背刻蚀

印刷硼硅浆激光掺杂

烧结

CN113035996B权利要求书1/1页

2

1.一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，包括：

S1,取硅片，清洗制绒，在硅片正面设定SE区域，并在所述SE区域印刷含磷纳米硅浆；

S2,在POCl?氛围中进行磷扩散，在SE区域形成磷重掺区域，即形成SE结构；

S3,去除磷扩散过程中在硅片表面形成的磷硅玻璃，进行背面刻蚀，在硅片正面沉积减反膜，在硅片背面沉积钝化膜；

S4,在硅片背面的钝化膜上印刷高浓度硼纳米硅浆，再用激光扫描，以实现定域掺硼；S5,在硅片背面印刷铝浆，在硅片正面的所述SE结构上印刷银浆；

S6,进行烧结，形成电池；

所述含磷纳米硅浆中的硅纳米粒子平均粒径不超过50nm,磷含量不低于5x10^1?atoms/cm3,磷重掺区域的Rs控制在55-60ohm/sq;

所述高浓度硼纳米硅浆是指硼硅摩尔比为0.2-2.5;

所述烧结温度为570-720℃。

2.根据权利要求1所述的基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，其特征在于，在步骤S4中，所述高浓度硼纳米硅浆的印刷区域大于定域掺硼的设定区域。

3.根据权利要求1所述的基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，其特征在于，在步骤S4中，所述激光的波长为532nm-1040nm。

4.根据权利要求1所述的基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，其特征在于，在步骤S4中，所述在硅片背面的钝化膜上印刷高浓度硼纳米硅浆的厚度为干膜后的厚度为1.5-2.5μm。

5.根据权利要求1所述的基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，其特征在于，在步骤S1中还包括对含磷纳米硅浆进行干燥，

所述干燥的温度为180-250℃,所述干燥的时间为8-15min。

6.一种按权利要求1-5任一项所述的方法制作的高效电池，包括银电极(1)、减反膜(2)、硅片(5)、铝浆层(7)以