CN112867236B Ic封装基板及ic封装基板的制作方法 (上海美维科技有限公司).docxVIP

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CN112867236B Ic封装基板及ic封装基板的制作方法 (上海美维科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112867236B(45)授权公告日2023.06.06

(21)申请号202110082734.9

(22)申请日2021.01.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112867236A

(43)申请公布日2021.05.28

(73)专利权人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人石新红周华梅黄剑张军黄丽君付海涛

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师佟婷婷

(51)Int.CI.

HO5K1/02(2006.01)

HO5K1/11(2006.01)

H05K3/42(2006.01)

(56)对比文件

JP

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2017084914

2007250616

2017059669

2004335655

2004031733

A,2017.05.18

A,2007.09.27

A,2017.03.23

A,2004.11.25

A,2004.01.29

CN107231752A,2017.10.03审查员赵萌

权利要求书2页说明书11页附图7页

(54)发明名称

IC封装基板及IC封装基板的制作方法

(57)摘要

CN112867236B本发明提供一种IC封装基板及其制作方法,制作方法包括:提供具有相对第一面和第二面的芯板,自第一面在芯板中进行第一次开孔,形成若干个第一孔,在第一孔内填充第一导电材料,自第二面在芯板中进行第二次开孔,形成若干个第二孔,在第二孔内填充第二导电材料,第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱,第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱,以进行散热。本发明的IC封装基板制作中,通过高密度通孔实现印刷线路板的散热,基于通孔填孔的方式替代现有埋铜块的制作方法,还可以将散热结构与线路层制备结构,提高线路板散热效果,提高结构的稳定性,简化制备工艺,提高工艺效率,适于批量生

CN112867236B

提供芯板,所述芯板具有相对的第一面和第二面

提供芯板,所述芯板具有相对的第一面和第二面

自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔,以在所述芯板中形成若干个第一孔

在所述第一孔内填充第一导电材料,所述第一导电材料至少延伸至所述第一面

自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔,以在所述芯板中形成若干个第二孔,所述第一孔与所述第二孔之间具有间距

在所述第二孔内填充第二导电材料,所述第二导电材料至少延伸

至所述第二面:其中,所述第一孔内的第一导电材料构成第一导

电柱,所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱,所述第一

导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热

S4

S5

CN112867236B权利要求书1/2页

2

1.一种IC封装基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括如下步骤:

提供芯板,所述芯板具有相对的第一面和第二面;

自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔,以在所述芯板中形成若干个第一孔;

在所述第一孔内填充第一导电材料,所述第一导电材料至少延伸至所述第一面;

在所述第一孔内填充所述第一导电材料后,自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔,以在所述芯板中形成若干个第二孔,所述第一孔与所述第二孔之间具有间距,所述第一孔及所述第二孔均贯穿所述芯板;

在所述第二孔内填充第二导电材料,所述第二导电材料至少延伸至所述第二面;

其中,所述第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱,位于所述第一孔内壁及第一孔周围的所述第一面表面上的第一导电材料作为第一导电层;所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱,位于所述第二孔内壁及第二孔周围的所述第二面表面上的第二导电材料作为第二导电层,所述第一导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热。

2.根据权利要求1所述的IC封装基板的制作方法,其特征在于,在所述第一孔内填充所述第一导电材料的步骤包括:

至少在所述第一孔内壁及第一孔周围的所述第一面表面形成第一厚度的第一导电层;至少在所述第一面上形成显露所述第一孔的第一干膜;

在所述第一孔中形成第二导电层,以形成所述第一导电柱;

和/或,在所述第二孔内填充所述第二导电材料的步骤包括:

至少在所述第二孔内壁及第二孔周围的所述第二面

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