功率半导体器件及其散热器的热阻和热容测量方法.pdfVIP

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  • 2026-02-07 发布于上海
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功率半导体器件及其散热器的热阻和热容测量方法.pdf

中国电源学会团体标准项目建议书

项目名称功率半导体器件及其散热器的热阻和热容测量方法

Measurementmethodforthermalresistanceandthermalcapacitanceof

项目名称

powersemiconductordeviceanditsheatsink

制定或修订制定被修订标准号/

采用程度NEQ采标号IEC60747-9:2019

国际标准名称半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

Semiconductordevices–Discretedevices–Part9:Insulated-gate

国际标准名称

bipolartransistors(IGBTs)

31电子学/080半导体器件

ICS分类号中国标准分类号K46

/01半导体器件综合

技术归口单位中国电源学会元器件专业委员会

发起单位重庆大学

重庆大学、河海大学、苏州汇川技术有限公司、江苏宏微科技股份有限公司、

建议起草单位斯达半导体股份有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、中国电子科技集团

公司第二十四研究所、杭州士兰微电子股份有限公司

立项背景与必要性

1.立项背景

①行业现状与问题:功率半导体器件及其散热器作为电源产品的核心电能变换单元,其热管理性能

直接决定了整机的可靠性、能效与寿命。统计表明,温度相关问题是导致电源系统失效的主要原

因之一,占比接近50%。因此,对功率半导体器件及其散热器进行准确的热特性评估与测试,已

成为提升电源产品可靠性的关键环节。然而,当前行业在热测试能力与标准建设方面仍存在显著

瓶颈。在测试设备方面,国内企业普遍依赖进口高端平台,主流设备如基于JESD51-14标准的

SimcenterT3SterSI热瞬态测试仪,其售价高达百万元级别。这给中小型电源企业带来了沉重

的资金压力,严重制约了其在产品热设计优化与热可靠性提升方面的投入能力。与此同时,国产

测试系统在测量精度、智能化程度及功能集成方面仍与进口设备存在差距,尽管在成本上具有一

定优势。在技术标准层面,现有的国内标准主要围绕稳态热阻参数提供测试指导,而对于能深刻

反映器件动态温度响应行为的热容参数,相关标准尚属空白。热容参数的缺失,使得工程师难以

精准模拟器件在真实工况(如频繁启停、负载波动)下的瞬态温度变化,无法为早期热失效预警

和寿命预测提供关键数据支撑。综上所述,行业亟待突破两大核心问题:一是打破高端热测试设

备被国外产品垄断的局面,开发高性价比、智能化的国产化测试平台;二是加快构建覆盖热阻和

热容等完整热参数的测试标准体系,为全行业提供统一、可靠的热特性评估规范。这不仅是提升

电源产品热可靠性的迫切需要,也是推动产业链协同发展和实现技术自立自强的关键一步。

②政策与市场需求:我国明确提出“碳达峰、碳中和”目标,推动能源结构转型,功率半导体器件

作为电能转换的核心,其可靠性直接关系到新能源产业(如光伏、风电、电动汽车)的能效与安

全。国家《“十四五”规划纲要》将“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”列为科技前沿攻关

重点,并要求突破关键元器件技术瓶颈,科技部等部门也聚焦材料、器件和工艺装备的自主化,

旨在解决产业链“卡脖子”问题。例如,国家新材料产业发展专家委员会强调,第三代半导体是

实现电网智能化、新能源汽车高性能化的关键载体,其技术突破被纳入战略性新兴产业支持范围。

在具体标准层面,汽车电子委员会制定的AEC-Q101(分立器件)和AQG-324(模块)等车规级标

准对功率半导体可靠性提出硬性要求,强制要求器

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