CN111968995B 一种集成无源器件及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111968995B(45)授权公告日2024.02.09

(21)申请号202010668108.3

(22)申请日2020.07.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111968995A

(43)申请公布日2020.11.20

(73)专利权人深圳市汇芯通信技术有限公司地址518000广东省深圳市华富街道莲花

一村社区皇岗路5001号深业上城(南区)T2栋2701

(72)发明人樊永辉许明伟樊晓兵曾学忠

(74)专利代理机构深圳市博衍知识产权代理有限公司44415

专利代理师曾新浩

(51)Int.CI.

HO1L27/13(2006.01)

H01L21/84(2006.01)

(56)对比文件

CN

CN

CN

101136397

101996988

111146235

A,2008.03.05

A,2011.03.30

A,2020.05.12

JP2006041292A,2006.02.09US2002064029A1,2002.05.30US2008296697A1,2008.12.04US9571044B1,2017.02.14

US2008157217A1,2008.07.03CN101924101A,2010.12.22

CN101118880A,2008.02.06

CN101950749A,2011.01.19

CN1630946A,2005.06.22

US2017033135A1,2017.02.02

审查员唐朝东

权利要求书1页说明书7页附图13页

(54)发明名称

一种集成无源器件及其制作方法和集成电

260/230350

260/230

350

250

220252

240/210

-310

200

320

(57)摘要

CN111968995B本申请公开了一种集成无源器件及其制作方法和集成电路，所述集成无源器件至少包括第一功能层，以及堆叠制作在所述第一功能层表面的第二功能层；所述第一功能层集成了第一无源器件，所述第二功能层集成了第二无源器件。本申请通过将无源器件堆叠设置，从而减小芯片的

CN111968995B

CN111968995B权利要求书1/1页

2

1.一种集成无源器件，其特征在于，至少包括第一功能层，以及堆叠制作在所述第一功能层表面的第二功能层，和设置在所述第二功能层上的第三功能层；所述第一功能层集成了第一无源器件，所述第二功能层集成了第二无源器件，所述第三功能层集成了第三无源

器件；

所述第一无源器件为电感，所述第二无源器件为电容，所述第三无源器件为电阻；所述第一功能层为电感层，所述第二功能层为电容层，所述第三功能层为电阻层；

所述集成无源器件包括：

衬底；

第一钝化层，设置在所述衬底上；

电感层，设置在所述第一钝化层上；

第一金属间介质层，设置在所述电感层上；

电容层，设置在所述第一金属间介质层上；

第二金属间介质层，设置在所述电容层上；

第三金属间介质层，设置在所述第二金属间介质层上；

电阻层，设置在所述第三金属间介质层上；以及

第二钝化层，设置在所述电阻层上；

所述电容层包括多个电容，所述电容包括下电极、电容介质、上电极和第一金属连线，所述下电极设置在所述第一金属间介质层上，所述电容介质设置在所述下电极上，所述上电极和第一金属连线设置在所述电容介质上；

所述下电极与所述电感层中的电感连通，所述上电极和第一金属连线与所述电阻层中的电阻连通。

2.如权利要求1所述的一种集成无源器件，其特征在于，所述集成无源器件包括：

背孔，贯穿所述衬底和第一钝化层；以及

背面金属层，设置在所述衬底的下表面，通过所述背孔与所述电感连接。

3.如权利要求1所述的一种集成无源器件，其特征在于，所述第一功能层中的多个第一无源器件同制程形成，所述第二功能层中的多个第二无源器件同制程形成，所述第三功能层中的多个第三无源器件同制程形成。

4.如权利要求1所述的一种集成无源器件，其特征在于，所述第一功能层至少包括堆叠而成的第一电感层和第二电感层，所述第二功能层至少包括堆叠而成的第一电容层和第二电容层。

5.一种集成无源器件的制作方法，用于制作如权利要求1-4任意一项所述